中国再砸180亿元研发内存:19nm工艺,良率不低于10%

2017-11-02 00:15 出处:PConline原创 作者:萧剑一生 责任编辑:mengxianrui1

  【PConline 资讯】8GB内存单条价格已经杀向1000元了,买条内存要比买个4核处理器或者显卡都要贵了,这在一年前都是想象不到的事。这一波内存涨价最大的受益方就是三星、SK Hynix以及美光了,他们三家垄断了全球90%以上的DRAM内存芯片,剩下的则是几家台系厂商瓜分,中国尚无一家厂商能染指内存芯片。紫光携旗下长江存储加入存储芯片市场,在武汉投资240多亿美元研发闪存及内存芯片,未来还会投资300多亿美元在南京建厂。现在安徽合肥的公司也加入了内存芯片市场竞争,兆易创新宣布与合肥产业投资控股有限公司合作,斥资180亿元研发19nm工艺芯片。

内存

  根据合肥产业投资控股有限公司发布的公告,将与北京兆易创新公司在合肥经济技术开发区开展12英寸19nm工艺晶圆存储器(包含DRAM芯片)研发,目标是2018年12月31日前研发成功,具体来说是产品良率(测试电性良好的晶片占整个晶圆的比 例)不低于10%。该合作由兆易创新与合肥产业投资控股公司以1:4的方式筹集资金,兆易创新公司负责大约36亿元资金投入。

  从他们公布的预期目标来看,10%的良率显然只是实验性的,这个良率不可能是量产阶段的,否则10%良率要陪个清光了。此外,研发阶段的产能也不高,大约是每月2000-3000片晶圆,达不到量产标准,也不会对市场产生明显影响。

  总的来说,双方的合作仍有相当大的不确定性,双方公告中也提醒注意风险,因为研发成功也不代表良率能提升到量产水平,同时还要面临各种问题,即便成功了,距离上市销量也要几年时间,所以短时间内不要期望这次的合作能迅速改变当前内存缺货、涨价的情况。

  从技术上来看,他们的19nm工艺内存芯片还是挺先进的,三星虽然在2015年就量产了20nm工艺,去年量产了18nm工艺,不过19nm工艺并不落后,美光、SK Hynix公司今年才算完成20nm节点的升级转换。

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