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　　【PConline 资讯】靠着DRAM内存、NAND闪存芯片的大涨价，三星公司今年顺利地超越Intel成为全球第二大半导体公司，Intel保持了多年的半导体一哥地位被三星轻松车翻。由于存储芯片涨价还看不到尽头，按照这个趋势走下去三星恐怕还会继续拉大与Intel的距离。三星不仅内存颗粒市场上份额最大，在内存芯片技术上的领先地位甚至更夸张，SK Hynix、美光刚刚跨过20nm节点，三星去年就率先量产了18nm工艺（也就是三星所说的10nm级工艺），现在三星又宣布了第二代10nm级DRAM工艺，相比第一代10nm级工艺生产能力提升30%，能效提升10-15%，速率也从3200Mbs提升到了3600Mbps。

　　首先说说内存颗粒的制程工艺背景，在20nm之前三家厂商的工艺命名还算规律，尽管有不同的分支——比如20nm、21nm等等，不过总的规律还是有的，而在20nm之后内存工艺有1X、1Y、1Z之分（闪存芯片也有类似的命名），各家的制程工艺之后三星在2016年初第一个量产<20nm工艺的新一代内存，制程工艺微缩到了18nm，不过三星（以及其他厂商）的叫法是10nm Class，也就是10nm级别的工艺，有些媒体、自媒体不解其意就写成10nm工艺，实际上并不是。

　　回到这个话题，三星现在宣布的是第二代10nm级工艺量产，官方同样没有明确指出是何种工艺，只说是1y nm工艺，而去年的第一代10nm级工艺是1x nm，综合来看现在的工艺应该是18nm工艺的改进版，具体是17nm还是多少就不好确定了，此前三星表态18nm之后会分别发展17、16nm，预计在2017年底开始量产，这么对比的话也符合之前的预期，现在的第二代10nm工艺应该就是17nm工艺了——别看制程只是从18到17nm，工艺背后的改良还是挺多的，从20nm到18nm就是如此，在整个晶圆工艺流程上做了大量改进，包括四重印刷之类的，三星此前专门刊文介绍过。

　　第二代10nm级工艺带来的好处都有哪些？三星目前量产的二代10nm级内存依然是8Gb DDR4核心容量的，容量相比前代没有变化，不过三星强调其生产能力(productivity)提升了30%，能效进一步提升10-15%，速率方面则从上代的3200Mbps提升到了3600Mbps。

　　当然，如果与2014年量产的20nm工艺4Gb DDR3内存相比，现在的8Gb DDR4内存不论性能还是容量都翻倍了。

　　三星表示目前正在加速第二代10nm级内存芯片的量产，考虑到其生产效率提升了30%，同样的工厂下理论上能提产出30%的内存，这对产能提升还是非常有利的，一旦供应增加，内存价格也指日可待了，不过从现实角度来说新工艺的量产爬坡是个长期的过程，18nm工艺去年量产了，迄今也没有变成三星的主力，所以这事还着急不来。