正在阅读:QLC闪亮登场:性能低、可靠性渣?但取代HDD的必定是它QLC闪亮登场:性能低、可靠性渣?但取代HDD的必定是它

2018-06-05 00:04 出处:PConline原创 作者:兽王、柒十一 责任编辑:tangzicong

3D堆栈技术加持,QLC闪存遇到了好时候

  正如TLC闪存刚问世时遭遇的考验一样,性能、可靠性下降是QLC闪存必然的缺点,我们应该对QLC闪存感到担忧吗,或者说排斥QLC闪存?直觉上应该是这样,但是我们也要了解一点——如今的NAND闪存早进入3D NAND时代了,跟2D NAND时代不一样了,而3D NAND时代的QLC闪存也不同于2D NAND时代的QLC闪存,这是双方技术路线决定的。  

  在2D NAND闪存时代,厂商为了追求NAND容量提升,需要不断提升NAND制程工艺,所以NAND前几年从50nm不断进入30nm、20nm以及10nm时代,这好比处理器工艺不断升级一样,好处是提高了晶体管密度,提升了NAND容量,降低了成本,但是NAND工艺提升意味着也使得用于阻挡电子的二氧化硅层越来越薄,导致可靠性变差,而MLC、TLC、QLC闪存穿越二氧化硅层的频率逐级升高,也会导致氧化层变薄,这就是P/E寿命不断降低的原因。

  但在3D NAND时代,提升NAND容量靠的不是微缩制程工艺了,而是靠堆栈的层数,所以工艺变得不重要了,NAND厂商甚至可以使用之前的工艺,比如三星最初的3D NAND闪存使用的还是40nm工艺,可靠性要比20nm、10nm级工艺高得多。

QLC

  也正因为此,QLC闪存获得了TLC不一样的待遇,TLC闪存刚问世时还是2D NAND闪存时代,所以遭遇了诸多寿命、性能上的考验,最初发布的TLC闪存P/E寿命只有100-150次,完全不能看,但美光、英特尔推出的QLC闪存直接使用3D NAND技术,P/E寿命达到了1000次,完全不输现在的3D TLC闪存。

  大家可能没注意到,这次首发的5210 ION硬盘是给企业级市场使用的,而非消费级市场,前者对可靠性的要求比消费级市场更高,英特尔、美光这么做说明对QLC闪存的寿命、可靠性有信心。

  此外,P/E寿命也不是不变的,随着NAND技术的进步、纠错技术的改良,P/E寿命是会提升的,TLC闪存就从之前的不足500次逐渐提升到了1000次或者更高水平,可靠性已经经过验证了,QLC同样也会如此。

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