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3D堆栈技术加持，QLC闪存遇到了好时候

　　正如TLC闪存刚问世时遭遇的考验一样，性能、可靠性下降是QLC闪存必然的缺点，我们应该对QLC闪存感到担忧吗，或者说排斥QLC闪存？直觉上应该是这样，但是我们也要了解一点——如今的NAND闪存早进入3D NAND时代了，跟2D NAND时代不一样了，而3D NAND时代的QLC闪存也不同于2D NAND时代的QLC闪存，这是双方技术路线决定的。　　

　　在2D NAND闪存时代，厂商为了追求NAND容量提升，需要不断提升NAND制程工艺，所以NAND前几年从50nm不断进入30nm、20nm以及10nm时代，这好比处理器工艺不断升级一样，好处是提高了晶体管密度，提升了NAND容量，降低了成本，但是NAND工艺提升意味着也使得用于阻挡电子的二氧化硅层越来越薄，导致可靠性变差，而MLC、TLC、QLC闪存穿越二氧化硅层的频率逐级升高，也会导致氧化层变薄，这就是P/E寿命不断降低的原因。

　　但在3D NAND时代，提升NAND容量靠的不是微缩制程工艺了，而是靠堆栈的层数，所以工艺变得不重要了，NAND厂商甚至可以使用之前的工艺，比如三星最初的3D NAND闪存使用的还是40nm工艺，可靠性要比20nm、10nm级工艺高得多。

　　也正因为此，QLC闪存获得了TLC不一样的待遇，TLC闪存刚问世时还是2D NAND闪存时代，所以遭遇了诸多寿命、性能上的考验，最初发布的TLC闪存P/E寿命只有100-150次，完全不能看，但美光、英特尔推出的QLC闪存直接使用3D NAND技术，P/E寿命达到了1000次，完全不输现在的3D TLC闪存。

　　大家可能没注意到，这次首发的5210 ION硬盘是给企业级市场使用的，而非消费级市场，前者对可靠性的要求比消费级市场更高，英特尔、美光这么做说明对QLC闪存的寿命、可靠性有信心。

　　此外，P/E寿命也不是不变的，随着NAND技术的进步、纠错技术的改良，P/E寿命是会提升的，TLC闪存就从之前的不足500次逐渐提升到了1000次或者更高水平，可靠性已经经过验证了，QLC同样也会如此。