【PConline 资讯】三星电子已经连续推出了两代采用3D堆叠技术的V-NAND闪存,分别有24、32层,相关固态硬盘产品也在消费级、企业级市场上频频露面,但一直都是MLC规格的,很多人都在等待三星的3D TLC,毕竟韩国巨头是第一个把这种廉价闪存推向商业化的,始终都很卖力。
不过,三星似乎不太喜欢TLC这个名称,官方一直说是“3-bit multi-level-cell (MLC)”。新闪存基于第二代3D堆叠工艺、CTF电荷捕型获闪存技术,同样垂直堆了多达32层,每颗芯片容量为128Gb(16GB)。 具体制造工艺没说,但看起来应该是1xnm级别的。三星称,相比于平面型的TLC,它可将晶圆的产能输出翻一番还多,成本自然大大降低。
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2014-10-11 10:54
出处:PConline原创
责任编辑:chenzhangwu