正在阅读:TLC闪存惹祸?iPhone 6 Plus或被召回TLC闪存惹祸?iPhone 6 Plus或被召回

2014-11-05 10:39 出处:PConline原创 作者:木叽叽 责任编辑:chenzhangwu

  【PConline 资讯】Business Korea及台湾《中时电子报》报道称,一些用户的iPhone 6 Plus(128GB)遭遇频繁死机,可能是TLC NAND存储器控制IC的缺陷问题,虽然存容量更多,但是读取/写入的速度比较慢,并推测iPhone 6 Plus可能会被大规模召回。

  该消息报道后得到了很多媒体的转载,但今日9to5mac报道称,他们的消息源证实,所谓的召回传言不实。9to5mac提到,遇到崩溃死机的只有一小部分用户,在苹果官方论坛反映该问题的原帖中,目前只有180个回复,而其中有很多回复来自同一人。这些用户通常是安装了大量的应用,有500-1000个App。

  消息源称,苹果已经注意到了这个“罕见”的Bug,但报道中提到的NAND闪存控制器的问题,只是猜测,并不准确。

被证实,存储卡并非使用TLC闪存:

苹果
iPhone 6 Plus的闪存 (图片来自网络) 

  从之前iPhone 6 Plus的拆解中,我们可以看到其所用的闪存芯片规格:海力士H2JTDG8UD1BMS。这块记忆体属于iPhone 6 Plus专属型号,所以外界对它的分析比较少。Techinsight网站上找到了它的详细数据:16nm制程,MLC存储单元。这项资料基于扫描电子显微镜(SEM)和投射电子显微镜(TEM)等设备的观测结果给出,可以算是相当权威了。

 

  其存储芯片采用的并非三阶单元(TLC),而是多层单元(MLC),与iPhone 5s所采用海力士H2JTDG8UD3MBR一致。

后续发展:等待苹果官方正式回应

  此外,有苹果内部人士透露,对于iPhone 6 Plus因质量召回说法,完全是虚假的,因为该机完全没有问题,之前苹果论坛出现的反馈,是用户自己操作不当引起。这一场苹果质量门的风波还是等待苹果官方正式回应吧!

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