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　　【PConline 首测】继着国内SSD的市场逐渐成熟，产品细分化是必然的选择。三星也谙熟其中市场策略，从830时代开始，三星就推出840PRO、840两款不同定位的SSD，之后针对840/840Pro升级的840 EVO/850Pro，都瞄准了细分化的市场。更精准的人群定位、更出色的性能表现，更高的性价比让三星SSD长期占据着销量榜首位置。

三星 850 EVO 500GB(MZ-7LN500B/CN)  图片  评测  论坛  报价

　　一年的时间过去了，840EVO 升级版本 850EVO也如期而至。由于定位于入门SSD用户，这款产品的关注度远胜于前不久发布旗舰产品850PRO。到底三星850EVO的性能表现如何？在哪方面进行升级？能否平息用户对于3bit 闪存稳定性、可靠性的质疑？……带着一连串的疑问，一起进入三星850EVO  500G SSD的首发评测。

四个问题帮您全面了解三星850EVO：

●问题1：闪存是否有变化？

　　跟很多人期待的一样，闪存确实有所变化。三星850EVO系列采用基于三星独家的3D-NAND技术 3bit闪存。

三星850EVO系列采用了最新的3D V-NAND 3Bit 闪存

　　三星自己的32层3D V-NAND技术，可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度。三星850EVO 通过改为32层柱状细胞结构，可以垂直堆叠更多个细胞层，从而提高密度，降低碳足迹，提供更出色的效能表现以及更好的稳定性、可靠性，并有助于提升3bit闪存的耐用性。

●问题2：主控上是否有升级？

三星850EVO 500G采用最新的MGX主控

　　相比于840EVO 的MEX主控，三星850EVO 120G、250G及500G均采用了最新MGX主控（1TB版本仍旧是MEX主控）。新一代MGX主控特别针对低容量版本进行随机读写性能的优化，且功耗表现更出色，并支持队列TRIM指令，支持AES-256位加密。

●问题3：三星850EVO的效能表现如何？

　　三星850EVO除了提供最大1TB容量外，还拥有120G、250G以及500GB三种容量。性能方面，持续读写最高都是540MB/s、520MB/s，随机读写最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS，堪称性能读写的佼佼者。此外，相比于840EVO 的3年质保，850EVO提供长达5年的质保，看得出三星对3D V-NAND闪存还是非常有信心的。

●问题4：850EVO的市场售价如何？主要竞争对手有哪些？

　　上市时，价格会稍微高一些，有外媒爆料上市价120G/250G/500G/1TB分别是100美元、146美元、258美元、477美元，这样价格有一些水分，相信国内市场会比这个价格更低一些。提到它的竞争对手，包括浦科特M6S、英睿达MX100、闪迪Ultra等都拥有不俗的竞争力。

三星850EVO 500G概况介绍：

包装的正面

　　三星850EVO 采用了全新的白色包装，与以前的三星SSD大为不同，简约明了的风格给人一种耳目一新的感觉。

包装背面

　　包装的背面还清晰印有3D V-NAND闪存的标志。

三星850EVO 500G正面（右下角为840EVO）

　　与840EVO相比，三星850EVO的外观还是做出明显的改动，外壳的颜色更黑一些，三星的LOGO也变成了白色。其 采用醇黑金属外壳设计，经过特殊的金属拉丝工艺处理，质感十足，坚固耐用。

　　由于采用三星TurboWrite技术，三星 850 EVO在性能方面表现相当突出，连续读取速度可达540 MB/s，写入速度可达520 MB/s；500G版本提供 90K IOPS 的随机写入速度，可快速存储大量数据和执行多任务处理。此外，据官方称，对于500GB和1TB两个型号，在每日写入 高达80GB 数据的基础上可连续使用5年，具有出色的可靠性与稳定性。

　　通过背部的标签，可以清楚地看到，850EVO的型号为MZ-75E500，容量为500GB，电压为5V，电流为1.4A。由于采用的全新MGX主控，在功耗上要比840EVO、850PRO更低一些。 

　　三星850EVO 厚度突破7mm，达到惊人的6.8mm超薄，加上铝合金的外壳，轻与薄非它莫属，很适合于超薄类的笔记本以及空间有限Mini台式机选用。 

　　接口方面，采用主流的SATA 3.0接口，理论传输速度 6Gb/s，以三星850EVO 系列的读写性能来看，几乎达到SATA3.0的理论传输极限了。

三星850EVO 500G拆解赏析：

拆解需慎重

　　背部螺丝位的设计跟840EVO类似，一颗裸露在外面，另外两颗置于标签的下面。这里要吐槽一下，非规则的螺丝排布，让小编拆起来不容易，完全凭感觉找到螺丝位置，拆解时严重损坏背部的标签，提供广大网友拆解需慎重。

　　打开外壳，你会大吃一惊的。原来SSD的PCB板可以做到这么小！这自然得益于三星闪存的高集成。

PCB板的正面

PCB板的反面

　　PCB板正面总共有2颗闪存颗粒和1颗缓存芯片、1颗主控芯片，背面还有2颗闪存颗粒，全部由三星自主研制，独家的技术也是三星SSD品质的保证。

闪存芯片

　　闪存芯片的具体型号为K90KGY8S7C，采用了三星自己的32层3D V-NAND技术，1Xnm纳米制程，仍旧是3Bit 闪存，即TLC闪存。不过，得益于三星领先的3D V-NAND闪存技术，突破了目前传统平面NAND结构面临的密度限制、性能与耐用性问题。3D V-NAND闪存由32个单元层垂直堆叠而成以适应水平空间，并没有减少单元层尺寸，而且由于采用了更小的碳足迹，此结构密度更高，性能更卓越。

　　该技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式，通过改进型的Charge Trap Flash 技术，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。这样的设计，我们可以通俗的理解成，在单位空间内，晶体管的容量是以立体形式堆叠出现的，就好比在一块土地上盖房子，如果是采用平房结构，那么就会降低土地的利用率，要是采用楼房的形式，就会大大提升单位面积的利用率。单颗闪存的容量就高达128GB容量，4颗即组成了512G容量，未来SSD容量不足的问题将迎刃而解。

主控芯片

　　三星850EVO采用了第六代MGX主控，编号S4LN062X01-Y030，此前MEX主控的编号是S4LN045X01-8030。至于它有哪些改进之处，有哪些新特性，暂时还了解不是很多，后续再给大家补上。

缓存芯片

　　三星850EVO配备了自家大容量的LPDDR2-1066 DRAM缓存，500G缓存容量为512MB，而最小的120G缓存容量为256MB。

评测平台介绍与说明：

　　本次的测试考验三星850EVO 500G 的理论性能及实际应用性能，考虑到产品的容量定位，我们挑选了三星840EVO 500G、浦科特M6S 512G以及英睿达MX100 512G进行对比测试，保证4K对齐，打开主板AHCI模式，下面一起来看看其性能表现吧。

　　CrystalDiskInfo对于三星850EVO 500G的识别很完整，基本信息都显示出来了，未使用过的新品，其固件EXM01B6Q，与旗舰定位850PRO 采用一样固件优化。支持功能包括：S.M.A.R.T，NCQ，TRIM，Devsleep

理论性能测试：

项目一：CrystalDiskMark软件性能测试

　　CrystalDiskMark软件是一个测试你的硬盘或者存储设备的小巧工具，简单易于操作的界面让你随时可以测试你的存储设备，测试存储设备大小和测试数字都可以选择，还可测试可读和可写的速度。

三星850EVO 500G的测试成绩

测试成绩对比

测试成绩对比

　　测试小结：三星850EVO的持续读写速度高达538/517 MB/s，与官方标称的成绩基本一致。在随机4K （QD1）读写性能达到48/134 MB/s的顶级水平，与竞品对比中，处于领先水准，这也是目前这级别SSD所能达到了最好成绩了。

项目二：AS SSD Benchmark数据传输测试

　　AS SSD Benchmark是一款专门的固态硬盘基准性能测试，它的测试内容很全面，包括了4个方面的测试(顺序读写、4K随机读写、64线程4K读写、寻道时间)。在测试中，测试文件的大小为1G Byte。通过AS SSD Benchmark的测试，可以很全面的了解一款SSD的性能。

三星850EVO 500G的测试成绩

测试成绩对比

三星850EVO 500G的测试成绩

测试成绩对比

　　测试小结：在AS SSD Benchmark测试中，三星850EVO 500G不会令你失望。最大随机4K IOPS读写高达116K及79K，应对家用I/O操作几乎是绰绰有余，在读取方面比上一代840EVO强出不少，写入方面就不相伯仲。

三星850EVO 500G不同压缩比下的性能表现

　　在0%-100%的不同数据压缩比下，三星850EVO 500G表现一如既往的稳定，不同数据比的压缩测试中，几乎是两条平行的直线。

项目三：ATTO Disk Benchmark性能测试

　　ATTO Disk Benchmark是一款简单易用的磁盘传输速率检测软件，使用了不同大小的数据测试包，数据包按0.5K、1.0K、 2.0K直到到8192.0KB进行分别读写测试，测试完成后数据用柱状图的形式表达出来，很好的说明了文件大小比例不同对磁盘速度的影响。

三星850EVO 500G的测试成绩

测试成绩对比

　　测试小结：ATTO测试中，印证了前面AS SSD与CDM的测试结果，其持续读写速度几乎已经接近了SATA3.0接口的理论极限速度。

项目四：PCMark 7性能测试

　　本环节采用PC Mark 7中的Storage存储测项目项单独测试PC的存储子系统性能，并给出得分。PC Mark 7在存储测试环节针对了SSD进行优化，能很好反应SSD实际性能。测试项目：杀毒软件测试；图片导入；视频编辑；.Windows Media Center；添加音乐；游戏启动程序。

三星850EVO 500G的测试成绩，PCMark7的得分高达5591分

测试成绩对比

　　测试小结：PCMark7测试可以较为真实反应SSD的实际应用性能，三星850EVO 500G表现堪称佼佼者，PCMark7的得分高达5591分，均胜于其他三款产品同容量SSD。

实际性能测试：

项目一：Fastcopy传输性能测试

　　Fastcopy，是一个以优秀的文件复制工具，用它进行文件复制测试，毕竟复制操作是用户平时用得最多的写入操作之一。测试中分单个文件及文件夹传输测试，单个文件的容量为3.57G的影音文件，文件夹为13.78G的Windows系统文件（零碎文件居多），测试方法为将文件从主盘通过Fastcopy软件传输到测试盘，并计录下平均传输速度。

  
三星850EVO 500G的测试成绩

测试成绩对比

　　测试小结：平常的生活工作中，用户使用较为频繁的就是复制粘贴了，Fastcopy测试中，可压缩文件传输速度高达425MB/s，小伙伴再也无需担心平时文件传输速度问题。在一些零碎文件的传输上，三星850EVO 500G也有267MB/s的传输速度。

项目二：Windows7开机时间

　　平时电脑必须操作的就是开机，开机的快慢一定程度上影响了用户的体验，下面测试下这款SSD的开机的时间。

开机画面

测试成绩对比

项目三：Photoshop CS6图片加载时间测试

　　　　Photoshop是最著名的图像处理软件之一，集图像编辑修改、图像制作、广告创意、图像输入与输出于一体，深受广大平面设计人员和普通用户的喜爱。测试方法是加载61张高分分辨率的大图，共393MB，记录所用时间。

PhotoShop CS6界面

测试成绩对比

项目三：游戏加载《使命召唤 9》

　　我们选择COD9中Cordis die U.S.A2025的一幕进行3D游戏加载游戏测试，记录下所需游戏加载的时间。

游戏场景

测试成绩对比

　　测试小结：Win7系统开机、PS加载图片测试及游戏场景加载测试，主要考察SSD的读取能力，三者的读取性能相差不大，测试成绩的差异不大。可以说，凭借着三星850EVO 500G出色的性能表现，可大幅缩短您的开机时间，启动应用程序的时间，加速游戏场景的加载等，大大提高您电脑使用的效率。

PConline 评测室总结：

性能上：

　　得益于三星新一代的MGX主控以及独家创新的3D V-NAND闪存，三星850EVO 500G性能表现相当强悍，而且还加入了840EVO时代的TurboWrite技术，使得3Bit 闪存可以模拟工作在SLC模式下，性能自然可以大大提高。

　　相比于上一代840EVO，三星850EVO 500G性能有大幅度提升，而与同类竞品对比来看，在读写性能这一方面也处于领先水平，而且在实际应用表现上，也给我们带来不少的惊喜。

价格上：

　　相信大家都比较关心价格问题，这款产品尚未在大陆正式上市，所以具体多少尚不得而知。不过，作为一款入门级定位的产品，850EVO 的定位可以用 840EVO做一个衡量的标准，上市前期可能会高一些，后期基本上与840EVO的价格持平。

售后服务上：

　　三星对采用3D V-NAND 3Bit闪存的850EVO耐用性、稳定性非常有信心的，由之前的三年质保提至五年质保。

选购建议：

　　用过SSD之后，消费者普通都会认可SSD带来的好处，我们对SSD的诉求不外乎容量更大、速度更快、价格更低、耐用性更长。三星850EVO系列的诞生，满足普通消费者的绝大部分的需求，最大1TB的容量，强悍的读写性能，入门级SSD的售价，5年超长质保，加上三星强大平台整合研发实力，在同类产品中无疑更具有竞争优势。