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不大不小正好!240/256G 热门SSD推荐

木叽叽、Beijie 责任编辑:chenzhangwu 发布于:2015-01-27 00:16 PConline原创

  【PConline 导购】随着PC端软件、系统的升级换代,数据对硬盘空间的占用也随之增多,这让SSD的容价比备受考验。对此,各大SSD厂商都积极研发更低制程的闪存颗粒,在保证高性能表现的同时还能更加有效的控制成本。考虑到多数用户在选购SSD时,因小容量版本的空间不足、大容量价格高昂的问题而难以抉择,今天PConline就为大家推荐几款较为实惠且高性能的240/256G SSD产品。

 SSD导购
不大不小正好!240/256G 热门SSD推荐

推荐产品:英睿达MX100 256G
参考价格:857元

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Crucial英睿达 CT256MX100SSD1(256GB)  图片  评测  论坛  报价  网购实价

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  面对TLC颗粒的对市场的冲击之下,英睿达在MX100 256/512G 版本中拿出了自家美光全新的16nm的制程的MLC闪存颗粒,带来更高记录密度、更低的制程,从而也降低了NAND单位成本。

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  编辑点评:MX100作为英睿达的入门SSD,延用Marvell 88SS9189高端主控,搭配美光16nm制程的全新颗粒,随机读写可达80/70K IOPS,出色的性能表现堪比上代英睿达M500。另外,考虑到16nm的制程MLC颗粒的耐久度与使用寿命,英睿达MX100仅在128G以上容量版本中才用16nm制程的MLC颗粒。所以,256G版本成为了英睿达MX100的首选。长达3年的有限质保,支持72TB的终身数据写入量,相当每天拥有67GB的数据存储量,足以消除对寿命的顾虑。

 

推荐产品:三星850EVO 250G
参考价格:899元

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三星 850 EVO 256GB(MZ-7LN256B/CN)  图片  评测  论坛  报价

三星850EVO 500G
三星850 EVO内部电路板集成度较高

三星850EVO

  三星840 EVO采用在相信大家对三星SSD的三星32层3D V-NAND技术并不陌生,1Xnm纳米制程,3Bit 闪存(即TLC闪存)。得益于三星领先的3D V-NAND闪存技术,突破了目前传统平面NAND结构面临的密度限制、性能与耐用性问题。3D V-NAND闪存由32个单元层垂直堆叠而成以适应水平空间,并没有减少单元层尺寸,而且由于采用了更小的碳足迹,此结构密度更高,性能更卓越。

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  编辑点评:三星3bit 32层V-NAND开启SSD新时代,其在三星旗舰850 PRO的惊艳表现大家是有目共睹的。而在刚面市的850 EVO身上我们再次看到3D V-NAND的身影以及搭配三星新一代的MGX主控,大大提高随机读/写性能。另外,采用的TurboWrite技术更能使3bit闪存模拟SLC环境下的运行模式。三星850 EVO的面市完善了三星对SSD产品定位的细分化,899元的适中价格也较易被接受。

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