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【PConline 资讯】随着固态硬盘日趋普及，对速度更快、容量更大的固态硬盘的需求也在增长，当然，前提是尺寸不会增加。 
厂商不再采用传统的二维模式——存储单元平铺在硅片上，而是转向3D NAND技术——存储单元垂直堆叠在一起，这意味着更小面积的芯片能提供更大的存储容量。据科技网站Digital Trends报道，市场研究公司Stifel最近进行的研究发现，为生产3D NAND芯片，芯片厂商投入了巨资——这是大规模生产3D NAND芯片的必要步骤。即使在3D NAND芯片投产和销售多年后，这些投资可能都无法收回。
生产3D NAND芯片存在的问题之一是，其复杂程度远远高于传统芯片。研究称，上一代闪存芯片的生产需要3或4层沉积层，3D NAND芯片则需要120-144层。在已经相当复杂的过程中再增添这么多步骤，出错的可能性就会大大提高。并非生产出来的每块芯片都是合格产品，在最初生产成本很高时这会造成巨大损失。由于厂商通常不会披露合格率，要搞清楚废品造成的损失很困难。
三星、英特尔和东芝等公司已经计划在3D NAND芯片制造方面投入巨额资金。Digital Trends称，Stifel的研究发现，各大厂商计划未来数年在制造3D NAND芯片方面投资逾180亿美元(约合人民币1105亿元)。即使按计算和芯片制造产业的标准衡量，投资金额也相当高。
这对普通消费者会产生什么影响呢？3D NAND芯片将逐渐普及，但是，即使到2018年，它们的供应可能仍然是有限的，价格仍然会很高。这也意味着利用传统技术生产的闪存芯片因价格较低而仍然有需求。简而言之，3D NAND不会立即带来容量更大、价格更低的固态硬盘，因为投资这一技术的企业需要首先收回它们的投资。
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