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　　【PConline 资讯】说起三星的SSD，很多人自然就会联想起那讨厌的TLC。就算骂声一片，三星在850EVO上也依然用TLC闪存颗粒。然而，近日三星宣布正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。对，你没看错，是MLC。

　　虽然全球第一个48层堆叠、单Die容量256Gb的首发被东芝抢去，但三星宣布量产最牛3D闪存还是盖过了东芝的风头。从直观层面来讲，三星比东芝“良心”（忽视售价）表现在MLC颗粒以及量产能力上，毕竟东芝的说法是，我们已经准备好量产了，而三星在继续使用现有设备的情况下，三代的生产效率还提升了40%！

　　与容量为128Gb的传统NAND相比，三星此次量产的新一代256Gb 3D V-NAND闪存芯片密度实现翻倍增长。除了在单芯片上支持存储容量高达32GB（256Gb）之外，新的芯片还能轻松地翻倍提升现有SSD的存储容量，轻松TB级别，这可是三星的优势。

　　据悉，在新一代V-NAND闪存中，每个单元都采用相同的3D Charge Trap Flash（简称CTF）结构设计，每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层，利用其特殊的蚀刻技术，通过18亿个通道孔在阵列上实现电子互连。每个芯片共包含853亿个单元。单个存储单元容量为3bit，一共能存储2,560亿位的数据，换句话说，就是一个不超过手指尖大小的芯片能存储256Gb数据。

　　与32层3bit MLC 128Gb V-NAND闪存相比，当存储相同容量的数据时，一个48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存功耗能减少30% 。当然，消费级我们是见不到了，这都是企业、数据中心用的。

　　编辑点评：三星的MLC时代将要到来，你期待吗？