先于台积电和Intel 三星出10nm SRAM缓存

2015-11-20 16:58 出处:PConline原创 作者:兽王 责任编辑:tangzicong

  【PConlie 资讯】在14/16nm的工艺上,Intel首先量产FinFET工艺,三星紧随其后。在到了下一代10nm工艺上,参与角逐的公司有Intel、三星及台积电。

  而这一回合的较量中,三星率先生产出10nm工艺的128Mbit SRAM缓存。而Intel的10nm工艺Cannonlake由于跳票要到2017年第三季度才能问世,明年的Kabylake仍旧是14nm工艺。台积电则会在明年初试产10nm工艺。

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  三星日前宣布他们已经成功用10nm的FinFET工艺生产了128Mbit SRAM缓存,该缓存多用于处理器的L1/L2/L3缓存,(造价昂贵、速度超快),目前Intel和台积电的SRAM缓存仍是14nm和16nm工艺。

  据三星所说,相比14nm工艺,10nm的SRAM缓存核心面积缩小了37.5%,如果应用于处理器中,不仅性能更强、功耗更低、芯片面积也能进一步缩小。

  至于具体量产的时间,三星预计在2016年底,而台积电也宣布会在2016年底量产。

编辑点评:说好的摩尔定律最忠实拥护者呢?

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