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　　【PConline 资讯】除了镁光，在2016年闪存峰会（Flash Memory Summit）上闪耀的还有三星，他们宣布了一项技术升级突破：第四代V-NAND（立体堆叠3D闪存）已经实现了64层晶粒（DIE）堆叠，存储密度再次突破新高，超过了令人震撼的48层V-NAND立体堆叠。

　　新一代立体堆叠的V-NAND芯片可实现单独晶粒（DIE）512Gb (64GB)的存储容量，单独晶粒数据传输速度可达100MB/S。三星预计会在今年第四季度试产这类新技术的产品，而且会率先应用于企业级SSD产品上，如果一切顺利那么在2020年，SSD的容量可达到惊人的100TB。