7nm或成逆袭的转接点?Intel 7nm恐全球垫底?

2017-06-26 00:15 出处:驱动之家 作者:DIY硬件频道 责任编辑:liangzhijie

  【PConline 资讯】近日,GlobalFoundries公布了7nm的进度、技术指标和量产安排,令半导体界为之一振。

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  GlobalFoundries因为缩写为GF、同时曾经被AMD拥有、至今也是AMD最主要的代工伙伴,所以即使“卖身”到了中东,也还是被硬件爱好则会亲切地称为“AMD女友”。

  虽然Intel、三星、台积电等对手都选择用在14nm之后用10nm过度一代,但GF却直奔7nm。

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  今天,Anandtech公开了全球六大代工厂的官方制程路线图,可以看到,台积电和GF的7nm最快,都能在2018年量产。

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  不过,GF为7nm划分了三代,第一代是DUV(深紫外光刻),而导入EUV(极紫外光刻)需要到2019年。

  技术指标上,GF的第一代/第二代7nm相较14nm FinFET可提升40%性能、降低60%功耗,芯片成本降低30%。

  DUV和EUV在细节指标上的区分还是很大,比如DUV的氩氟(ArF)准分子激光波长是193nm,而EUV只有13.5nm。

  回到进度对比上,Intel实在是有些难堪,1个10nm要用到2020年,那时候AMD基于7nm的Zen 2/3都应发布了。

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