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　　【PConline 快讯】继QLC闪存之后，东芝今天宣布全球首发了基于TSV（硅通孔）技术的3D闪存，依然基于自家BiCS架构的TLC。

　　TSV是一种3D闪存“立体搭建”方案，这种通讯方式减少了漏电、更节省体积，相较传统的Wire Bond（金线键合）在单芯片封装后的功耗上极具优势。

　　得益于TSV，东芝宣称可以做到最高48层堆叠，单芯片容量最高1TB（16die），接口速度1Gbps。

　　东芝表示，原型产品已经在6月出货，成品将在下半年上市。同时，业内将在8月7日开幕的闪存峰会上有幸得以近距离了解产品详情。

编辑点评：随着闪存技术的不断进步，单芯片容量越来越高，成本也在不断下降；可以预见，今后TB级的SSD将成为市场的绝对主流，如果产能再跟得上，我们就是时候和HDD说再见了。