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全新TR200系列将实现移动电脑和台式电脑系统的新一代升级 东芝电子（中国）有限公司今日宣布将在零售市场推出TR200 SATA固态硬盘（SSD）系列。TR200系列采用东芝全新的3bit-per-cell TLC（1个存储器存储单元可存放3比特的数据）BiCS FLASH™存储器，为电脑游戏玩家和DIY爱好者提供公司首款采用64层3D闪存的升级版SSD。 作为NAND闪存的发明人，东芝研发的3D FLASH使用的是BiCS技术。BiCS FLASH™是垂直堆栈的三维（3D）闪存，相比其前一代的先进技术，即二维（2D）NAND闪存，BiCS FLASH™中的存储器单元间隔比2D NAND闪存更大。这就可以通过增加单次编程序列的数据量来提高编程速度，同时也降低了每个编程数据单元的功耗。另外BiCS FLASH™的宽存储器单元间隔相比于2D NAND闪存而言，降低了单元的耦合性，提高了可靠性。 同时近日东芝存储器株式会社宣布，已开发出全球首款采用堆栈式结构的96层BiCS FLASH™闪存的原型样品。未来东芝存储器株式会社将在其512千兆比特（64GB）等大容量产品中应用其新的96层工艺技术和4位元（1个存储器存储单元可存放4比特的数据，QLC）技术。 此款SSD提供三种容量：240GB、480GB和960GB（[（） 容量定义：本公司定义1千兆字节（GB）为1,000,000,000字节。而计算机操作系统使用2的幂数来标示存储容量，其定义1GB=230字节=1,073,741,824字节，因此会显示较少的存储容量。根据不同的文件大小、格式、设置、软件和操作系统，可用存储容量（包括各种媒体文件示例）将存在差异，如微软操作系统和／或预装软件应用程序或媒介内容。实际的格式化容量可能存在差异。]），全部采用2.5英寸标准规格。并将于今年秋季开始零售和在线零售服务。 TR200系列将在中国上海举办的中国国际数码互动娱乐展览会（ChinaJoy）上首次亮相，展出期间为7月27日至30日;并将于8月22日至26日在德国科隆举办的GamesCom展会上展出。 （1） 连续读写性能是通过Iometer 1.1.0测试软件测试的。 （2） 该性能是根据本公司测试标准，基于128KiB单元顺序访问测得的TR200型号产品的顺序读取和顺序写入性能。根据不同的测试环境，读写条件以及负载，其性能存在差异。东芝定义1兆字节（MB）为1,000,000字节，1千位二进字节（KiB）为210字节或1,024字节。 （3） 随机读写性能是通过CrystalDiskMark 5.1.2测试软件测试的。 （4） 该性能是根据本公司测试标准，基于4KiB单元随机访问测得的TR200型号产品的随机读取和随机写入性能。根据不同的测试环境，读写条件以及负载，其性能存在差异。东芝定义1兆字节（MB）为1,000,000字节，1千位二进字节（KiB）为210字节或1,024字节。 （5） 容量定义：本公司定义1千兆字节（GB）为1,000,000,000字节。而计算机操作系统使用2的幂数来标示存储容量，其定义1GB=230字节=1,073,741,824字节，因此会显示较少的存储容量。根据不同的文件大小、格式、设置、软件和操作系统，可用存储容量（包括各种媒体文件示例）将存在差异，如微软操作系统和／或预装软件应用程序或媒介内容。实际的格式化容量可能存在差异。 TR200系列 注* 连续读写性能是通过Iometer 1.1.0测试软件测试的。 注** 随机读写性能是通过CrystalDiskMark 5.1.2测试软件测试的。 本文提及的所有公司名称、产品名称和服务名称是其各自公司的商标。 |
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2017-07-28 09:44
出处：PConline原创
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