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2017-09-21 00:15 出处:PConline原创 作者:萧剑一生 责任编辑:mengxianrui1

  [PConline 资讯] Intel一直自诩拥有地球上最好的半导体工艺技术,但是Intel这几年在玩家的心中评价不高,被称为牙膏厂,14nm工艺缝缝补补用了三年了,而且在10nm工艺节点上又被TSMC、三星超越。Intel真的如此不堪一击?在昨天的Intel中国技术&制造日(国内叫做精尖制造日)会议上,Intel官方首次公开了10nm Cannonlake处理器晶圆,并大谈自家在14nm、10nm工艺上的领先,同时Intel还公布了未来的5nm、3nm处理器工艺研究,以及纳米线晶体管、3D堆叠、微缩互联等未来黑科技技术。

  Intel今年3月份已经举办过技术&制造日会议了,这次在北京举办的会议内容跟上半年的活动相似,主要是介绍Intel在先进半导体工艺上的优势及前景展望,不同的是Intel副总裁Stacy Smith首次展示了10nm工艺的Cannonlake处理器晶圆,如上图所示。Cannonlake处理器是Intel首款10nm工艺处理器,预计今年底出货,不过Cannonlake主要针对移动市场,使用的也是第一代10nm工艺,而桌面市场上预计会使用第二代10nm工艺,代号Ice Lake,预计明年下半年问世。

  对于Intel在制造工艺上的优势,我们早前的文章里已经做过介绍,这次Intel不过是再次重复了一下,以10nm为例子,Intel表示他们的10nm工艺晶体管密度可达1.008亿每平方毫米,是14nm工艺的2.7倍,也是其他友商(也就是TSMC、三星)的2倍多左右。

  相比之前的14纳米制程,英特尔10纳米制程实现多达25%的性能提升和45%的功耗降低。全新增强版的10纳米制程——10++,可将性能再提升15%并将功耗再降低 30%。

  英特尔10纳米制程计划于2017年底投产,2018年上半年实现量产。

  在10nm之后,半导体工艺还会升级到7nm,再往下则是5nm、3nm工艺,Intel表示他们已经针对5nm、3nm工艺展开研究,不过官方并没有公布下下代工艺何时才能问世的消息。

  随着半导体工艺制程的提升,新一代工艺对材料、技术的要求也越来越高,Intel也公布了一些研究中的前瞻项目,可以说这些研究都是黑科技,是解决未来半导体生产制造的关键。根据Intel的介绍,这些黑科技主要包括纳米线晶体管(Nanowire Transistor)、III-V材料( III-V Materials)、3D堆叠(3D Stacking)、高密度内存(Dense Memory)、微缩互联(Scaling Interconnects)、极紫外(EUV)光刻技术(Extreme Ultraviolet Lithography)、自旋电子(Spintronics)、神经元计算(Neuromorphic Computing)等。

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