1.5V轻取2000MHz 三星30nm黑条OC手册

2012-04-29 02:25  出处:PConline原创  作者:存在主义饼干   责任编辑:hanjun 

2、高CL值+高电压+2000MHz

三星30nm 4G

  在BIOS中,将“RAS(首命令延时”调至2T,其余参数设定为10-10-10-28,7-7-7-7-88,才能顺利点亮并进入系统。此时内存内存的访问反应时间变长,系统整体效能下降,但也有可能通过2000MHz的超高频率弥补延时的不足。

lanheihoutai

  但事实证明,延时的短板不是高频率所能弥补的,此时内存读取下降为15173MB/s,写入则有所改观,不过提升不大,喂15444MB/s,内存拷贝也下降为17001MB/s,而延时(Latency)则缩短为36.1ns,还算略有进步。

30nm

  此时,内存颗粒表面的温度为33.1℃,比1600MHz时提升不到1℃,足见30nm制程的伟大!

30nm

  另外,许多玩家朋友往往将注意力放在对   然而,tRRD、tWR、tWTR、tRTP、tRFC五者的时序控制也非常重要,一般情况下,冲击2000MHz高频,这五项设置为6-6-6-6-74以上或更高。

  评测总结:三星30nm“黑武士”就像火箭的布鲁克斯,“小黑豆”小而强大,颠覆了窄条不能超、不敢超的形象。以往的OC玩家,将精力更多地放在拥有散热马甲的游戏条上,认为矮条受制于印刷电路的有限面积,电气性能、PCB布线还有发热控制都非常不尽如人意,然而,在三星将业界引入30nm的世界后,在更窄的PCB上集成更多能在低压下轻易高频、稍微加压就能大幅超频的颗粒,已经成为未来的趋势。

  经过简评,将三星30nm 4GB 1600内存的特性总结如下:

1、空间适应性强,能够完美兼容大型的CPU散热器

2、低压飙高频,在1.5V的电压下可以轻易上到2000MHz;

3、30nm制程+低压工作,带来超低发热量,用探温抢直射内存颗粒表面,默频下的温度为,OC 1600/2000的温度分别为;

4、平均体质优良,用户有2/3甚至更大的概率选中体质优秀的内存,而体质稍弱的条子也能够上高频,不过时序需要适当放宽;

5、成本控制理想。没有散热马甲以及缩小的PCB高度,让制造成本更低;

6、时序表现一般,在2000MHz下必须将延时进行大幅度的放宽,影响系统整体效能表现,建议低延时+1600MHz的频率使用,此时内存带宽测试数据比2000MHz更高,并且功耗和发热量都很理想。

7、小参延时对该产品的OC成功率影响很大,平时玩家首要考虑的是   ,很少考虑小参,然而,用户可以通过放宽  的值,提升超频成功几率。

  最后,特别感谢盛业电脑,提供评测产品。盛业电脑是三星内存、固态硬盘、蓝宝/丽台等专业显卡的代理,为客户提供最专业、贴心的产品/售后服务。

  [参考价格]:三星30nm 4GB DDR3L  185元
  [销售公司]:盛业电脑
  [销售地址]:南宁市星湖路14号电科A311
  [销售电话]:0771-5560552
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