2、高CL值+高电压+2000MHz 在BIOS中,将“RAS(首命令延时”调至2T,其余参数设定为10-10-10-28,7-7-7-7-88,才能顺利点亮并进入系统。此时内存内存的访问反应时间变长,系统整体效能下降,但也有可能通过2000MHz的超高频率弥补延时的不足。 但事实证明,延时的短板不是高频率所能弥补的,此时内存读取下降为15173MB/s,写入则有所改观,不过提升不大,喂15444MB/s,内存拷贝也下降为17001MB/s,而延时(Latency)则缩短为36.1ns,还算略有进步。 此时,内存颗粒表面的温度为33.1℃,比1600MHz时提升不到1℃,足见30nm制程的伟大! 另外,许多玩家朋友往往将注意力放在对 然而,tRRD、tWR、tWTR、tRTP、tRFC五者的时序控制也非常重要,一般情况下,冲击2000MHz高频,这五项设置为6-6-6-6-74以上或更高。 评测总结:三星30nm“黑武士”就像火箭的布鲁克斯,“小黑豆”小而强大,颠覆了窄条不能超、不敢超的形象。以往的OC玩家,将精力更多地放在拥有散热马甲的游戏条上,认为矮条受制于印刷电路的有限面积,电气性能、PCB布线还有发热控制都非常不尽如人意,然而,在三星将业界引入30nm的世界后,在更窄的PCB上集成更多能在低压下轻易高频、稍微加压就能大幅超频的颗粒,已经成为未来的趋势。 经过简评,将三星30nm 4GB 1600内存的特性总结如下: 2、低压飙高频,在1.5V的电压下可以轻易上到2000MHz; 3、30nm制程+低压工作,带来超低发热量,用探温抢直射内存颗粒表面,默频下的温度为,OC 1600/2000的温度分别为; 4、平均体质优良,用户有2/3甚至更大的概率选中体质优秀的内存,而体质稍弱的条子也能够上高频,不过时序需要适当放宽; 5、成本控制理想。没有散热马甲以及缩小的PCB高度,让制造成本更低; 6、时序表现一般,在2000MHz下必须将延时进行大幅度的放宽,影响系统整体效能表现,建议低延时+1600MHz的频率使用,此时内存带宽测试数据比2000MHz更高,并且功耗和发热量都很理想。 7、小参延时对该产品的OC成功率影响很大,平时玩家首要考虑的是 ,很少考虑小参,然而,用户可以通过放宽 的值,提升超频成功几率。 最后,特别感谢盛业电脑,提供评测产品。盛业电脑是三星内存、固态硬盘、蓝宝/丽台等专业显卡的代理,为客户提供最专业、贴心的产品/售后服务。 [参考价格]:三星30nm 4GB DDR3L 185元 (如果您对本站有什么建议或意见以及行情报料的话请拔打编辑部热线:0771-5322230)
|
1.5V轻取2000MHz 三星30nm黑条OC手册
2012-04-29 02:25 出处:PConline原创 作者:存在主义饼干 责任编辑:hanjun
键盘也能翻页,试试“← →”键
广西行情
广西活动
IT热词