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　　IBM的科学家在旧金山举行的国际电子装置会议(IEDM)上发表的一篇论文中证实，IBM联合奇梦达(Qimonda)与旺宏电子(Macronix)的研究员已经开发出一种新的适用于内存的材料，这种材料生产的内存的速度比目前的FLASH芯片快500倍以上。

　　IBM Almaden研究中心Spike Narayan表示这种新型记忆芯片技术今后可能会应用于IBM未来的Power PC微处理器。 据介绍，这种新开发的材质是由锗和锑构成的合金，这种新材质的优点是，可用来制造执行速度比目前快闪记忆芯片快500倍以上的开关(switch)。目前研发出的的原型开关高度仅3纳米，宽度仅20纳米，因此未来的记忆芯片尺寸可以变得更小。体积变小的好处是可以大大减少耗电量，目前的闪存产品在尺寸上面已经遇到的瓶颈，而这种新的材质的使用则可以突破目前FLASH闪存所遇到的困难，在减少体积和耗电量的情况下，大大提高内存的容量和运行速度。