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MRAM全称为Magnetoresistive Random Access Memory(磁阻随机存取存储器)，它采用磁性材料存储数据，其最大的特点就是非易失性，而且不需要刷新、回写。 MRAM的主要技术特点就是使用TMR（隧道型磁电阻）磁性体单元来存储数据。利用电阻随磁化方向而变化的原理记录数据，并通过隧道效应扩大电阻值的差别。耗电量低，且可高速写入和读取，擦写次数无限制。 在合作中，IBM主要进行MRAM存储器技术的开发和MTJ技术的研究开发，而TDK则致力于让硬盘磁头支持MTJ技术。两公司希望通过合作研究可以提高成本效率，使大容量MRAM产品能够早日进入使用。
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2007-08-21 18:51
出处：PConline
责任编辑：谢成明
