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前言：就在你阅读这篇文章时，DDR3 4G内存的价格已经悄然跌破100元，虽然在我们预测文章的3个月后，但毕竟还是来了。结合近两天威刚单条8GB内存上市，三星原厂30nm DDR3-1600内存上市的消息，种种迹象都在证明接下来主推的将是更大容量更高频率的内存，可以说跌到99元这个标志性的价位，就是DDR3-1333 2G/4G的时代终结的开始。
另外，新上市的Intel X79芯片组支持四通技术，主板上最多8条内存插槽可提供最大64GB内存，DDR4内存技术也再一次被提上日程，更大更快更新的技术一再刺激着我们的眼球。下一代内存究竟是啥样，今天我们就一探究竟。 ---------------------------------------------------------------------------- 如果您希望看到更多精选DIY类资讯，可以关注PConline DIY频道官方微博 八八大顺？单条8GB内存悄然上市 其实在9月份内存价格分析文章中，我们就有提到三星在日本发售单条8GB内存的事情。当时我们预测未来2G、4G将被4G、8G内存取代，现在看来确实如此。因为之后镁光、海盗船、博帝、宇帷、威刚都相继在日本发布自家的单条8GB产品，只是价格换算后都在人民币千元左右。
接下来关于单条8GB内存的消息就淡了许多，一方面是泰国洪水重创了PC产业，一方面是主板厂商还没有发布支持更高内存频率的新品。而来到11月，Intel的X79芯片组支持四通道内存，X79主板上的8条内存插槽让人浮想联翩，于是单条8GB内存的消息又开始多了起来，比如德国内存厂商Exceleram的单条8GB DDR3内存就爆出了49美元的低价。
然后在11月底，我们终于等到一线厂商在国内发布单条8GB内存的消息。威刚在11月30日发布了旗下首款面向消费级别的8GB DDR3-1333万紫千红内存，只是售价还没有一个确切的说法，有消息说在100美元左右（坑爹呢）。
作为在国内发布的首款一线厂家8GB内存，威刚万紫千红内存采用日本尔必达原厂A级颗粒，单颗容量512MB，至于做工则和4GB万紫千红没有差别。可以说单条8GB内存产品工艺上早就没有任何问题，但阻碍其普及的有价格也有需求因素。 30nm低压高频 三星说还有单条32GB
三星采用30nm工艺制造最新产品已经在国内上市，单条容量分别是2GB与4GB。新的30nm工艺内存使用黑色矮版PCB，属于节能内存“黑武士”系列。工作电压默认为1.35V，符合DDR3L标准。默认频率即为DDR3-1600，时序CL=11-11-11-28。
三星“黑武士”30nm工艺版内存其实在年中就有曝光，但迫于市场上旧产品库存量大，内存需求低迷，迟迟找不到上市的时机。另外三星20nm 2Gbit DDR3内存颗粒也已经投入生产，拥有与30nm DDR3产品的同等性能，同时提高了约50%生产效率，节约了40%以上的耗电量。三星计划今年内研发20纳米级4Gbit DDR3颗粒，明年开始量产20nm工艺单条4GB、8GB、16GB、32GB内存等大容量产品。单条32GB……（以后内存真心可以当硬盘使） 4A平台有戏 AMD内存进军零售
AMD在自有品牌内存获得OEM市场认可之后，现在准备将AMD品牌内存推向零售市场。虽然内存发布时间和价格待定，但市场划分已经爆出。三个型号中，AMD Entertainment（娱乐版）针对低端市场，DDR3-1333规格；AMD Performance（性能版）针对中端、多媒体和游戏市场，DDR3-1333和DDR3-1600规格；AMD Radeon（镭）版本针对高端发烧市场，DDR3-1866。所有AMD品牌内存容量都有2GB、4GB和8GB，高端AMD Radeon内存将配备散热片，AMD Entertainment、Performance内存也有部分型号配备散热片。 现在还不清楚AMD品牌内存代工厂商，但是外界推Patriot来代工AMD品牌内存，Patriot之前一直是AMD合作伙伴之一。AMD此举是要整合一个“4A”平台出来吗？ 真的有必要吗 DDR4冲击5GHz没问题 不单单是容量上的提升，未来的内存产品还将在频率上有着长足的进步。因为从之前JEDEC固态技术协会宣布的DDR4内存标准关键技术中，我们可以看到，未来DDR4内存的频率突破5000MHz大关，绝不是什么天方夜谭。
事实上，三星早在今年年初就宣布采用30nm技术完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格的内存条研发。现在DDR4内存停留在测试阶段，但JEDEC组织已经着手定制DDR4相关规范，并预计于2012年或更早投入商用。鉴于intel的下一代产品——采用22nm技术+四通道内存控制方案的Ivy-bridge仍不提供对DDR4的原生支持，因此要见到DDR4最早也要等到2012年第4季度了。 DDR4技术特性全面展示 DDR4针对未来服务器、笔记本、台式机、消费电子产品进行创新设计，并且具备诸多新的技术特性，首先传输率方面，DDR4将会有1.6 GT/s到3.2 GT/s的速度，而目前DDR3是是1.6 GT/s。同时DDR4还包括在DQ bus、更高的2667 Mhz数据传输率、Bank群组结构以及集成VrefDQ和增强的训练模式等等。
同时在电压方面，DDR4也进行了调整，预计它的VDDQ电压将会在1.2V，未来还会进一步下调，这给以后的笔记本等方案可以带来更长的电池续航时间。 除此之外还有以下特性将会被采用： ·提供三种数据宽度：x4, x8和x16 ·新的JEDEC POD12接口标准（工作电压1.2V） ·DifferentialSignaling( 差分信号技术） ·新的终止调度：在DDR4中DQ bus可以转移终止到VDDQ，这样可以即时VDD电压降低的情况下也能保证稳定 ·正常和动态的ODT：改进ODT协议，并且采用新的Park Mode模式可以允许正常终结和动态吸入终结，而不需要去驱动ODT Pin。 ·突发长度和突发停止长度分别为8和4 ·数据遮掩 ·DBI：可以降低功耗并且提升数据信号完整性 ·新的数据总线CRC技术，可以进行传输过程中的错误侦测，特别对非ECC内存进行写入操作时有帮助。 ·针对命令和地址总线的新的CA奇偶校验 ·DLL关闭模式支持 为进一步推广和采用DDR4标准，JEDEC打算在公布标准以后，举办DDR4 Technical Workshop会议，更多信息将会在以后正式公布。 展望一下代内存技术发展 那么回到最初的话题，下一代内存技术或者说下一代内存长什么样？
举个例子，未来AMD“Graphics Core Next”GPU将具备X86内存寻址特性，换句话说就是可以和CPU一样调用系统内存，CPU通过MMU内存控制器访问内存，而GPU则是通过IOMMU实现内存调用。这种新技术允许系统设备在虚拟内存中进行寻址，也就是将虚拟内存地址映射为物理内存地址，让实体设备可以在虚拟的内存环境中工作，这样可以帮助系统扩充内存容量，提升性能。比如现在的APU就运用了类似的技术，而且我们已经知道APU对内存性能的提升十分敏感。
同时AMD下一代GPU还具备64bit x86指针、Page fault、地址转换缓存、分配内存的功能，操作系统将会同时为CPU、GPU内存调用全面服务。这样高速内存就显得尤为重要了，否则就会给系统性能带来很大瓶颈。
总的来看，DDR4内存还是有它未来发展空间的，它的发展有赖于处理器、显卡新技术的出现，否则目前DDR3内存已经足够使用。至于明年内存市场将主推何种产品，根据Intel的内存支持来看，明年将依旧是DDR3内存的天下，不过容量就会来到4GB、8GB，而频率方面将陆续有更多的DDR3-1600的产品出现。[返回频道首页] |
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2011-12-02 00:18
出处：PConline原创
责任编辑：xieziniu
