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●搭配优秀的主控与固件算法，TLC性能也不烂

三种闪存状态（图片来自网络）

　　看看上面那张图，TLC要检测到8个电压状态，即读取速度将会更耗时：TLC闪存将耗时100μs。SLC闪存随机读取仅用其四分之一的时间。而MLC闪存也只用其一半的时间就完成了任务。编程时间不占优势，理论性能值肯定受到影响。

 
采用TLC三星840 250G与采用MLC 三星830 256G测试成绩

采用SLC 金胜M5000S 120G CDM测试成绩

　　金胜 M5000s搭配的是SF-2281主控，这款主控性能如何自然不用笔者多说，而且它的容量仅120G，采用了SLC闪存后,可以说金胜打赢新一代三核心主控840 250G与830 256G。而我们也能发现，采用21nm TLC闪存的840在写入上落后830系列近一半，但是随机读写性能与IOPS有相当不俗的表现，这也说明随着SSD新技术的涌现，TLC闪存的性能有非常大的改观。

●为什么TLC闪存会比MLC，SLC要便宜

　　因为SLC，MLC与TLC每个单元内存储数据位数不一样，同样的晶体管得到的容量也有所区别。可以从上图看出，TLC的存储密度是最高的，相对MLC，晶体管数量实际上被去掉1/3就可以达到MLC的容量并保持2/3的物理尺寸，理论成本要低于MLC闪存近50%，SLC更不用说了。