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　　关于MLC与TLC是闪存芯片的两种不同类型：(关于闪存：闪存(Flash Memory)是一种非易失性存储器，由于其断电时仍能保存数据，闪存得以大规模应用，比如SD卡、优盘、苹果ipad平板电脑等等。)

　　一、MLC与TCL的概念：

　　MLC：Multi-Level Cell，即2bit/cell，代表为1个存储器储存单元存放2位元，速度寿命能较好平衡，价格方面比TLC要贵，约3000---10000次擦写寿命，一般应用在固态硬盘，移动硬盘，高性能U盘上。

　　详细解读：MLC名为多层式存储。MLC在存储单元中实现多位存储能力，典型的是2bit。它通过不同级别的电压在一个单元中记录两组位信息(00、01、11、10)，将SLC的存储密度理论提升一倍。

　　由于电压更为频繁的变化，所以MLC闪存的使用寿命远不如SLC，同时它的读写速度不如SLC，由于一个浮动栅存储2个单元，MLC较之SLC需要更长的时间。

　　TLC：Trinary-Level Cell 即3bit/cell，代表1个存储器储存单元可存放3位元，速度性能一般，约500次擦写寿命，价格便宜，多运用在一些性能低劣的U盘，手机TF卡上，这种芯片对读写速度要求不要，只保存临时数据甚至只读不写的领域。

　　TLC是2bit/cell的MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell，TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍。

　　由于TLC的电压变化频率是三种类型闪存中最高，因此TLC闪存的使用寿命也是最低，只有MLC闪存的1/20，第一代TLC闪存仅仅具有500-1000次可重复擦写次数的使用寿命。同时它的读写速度也是最慢，由于一个浮动栅存储3个单元，比之MLC需要更长的时间。

　　二、两者特点分析：

　　MLC闪存特点：

　　1、制造工艺最先进，已达19nm

　　2、理论上的读写速度不如SLC远胜TLC

　　2、性能表现尤其突出，SATA超过500MB/s。

　　3、单片存储密度最高，单片MLC闪存的容量可达256GB

　　4、价格只有SLC的1/3甚至更低，贵于TLC

　　5、使用寿命居中，不如SLC，主要依赖制造工艺和主控延长使用寿命，远胜TLC

　　TLC闪存的特点：

　　1、理论上的存储密度最高

　　2、制造成本最低，其价格较之MLC闪存最大降低50%

　　3、使命寿命最低，仅500次擦写(有些会达到1000以上)

　　5、理论上的读写速度最慢

　　TLC闪存颗粒

　　TLC/MLC/SLC闪存颗粒