航天级用料 北影新版GTX560Ti天宫详解

    显卡进入末法时代，那是不争的事实。而随着显卡对供电要求越来越高，普通的用料已经不能满足现时越来越巨大的GPU越来越大的核心面积以及越来越庞大的功耗了。而现时固态电容、全封闭电感、一上两下MOSFET已经成为显卡的标配。而这种标配式的显卡也让很多买家感觉到视觉疲劳。

现时常见的“3个代表”是末法时代的象征！

　　随着这“3个代表”成为代表后，显卡行业的同质化越来越严重，显卡领域迎来了末法时代！而北影为了摆脱这个状况，立即推出了一款新款的GTX560Ti，而这次新版本的GTX560Ti更换了不少料件，让各位眼前一亮。

北影新版GTX560Ti天宫

北影GTX560Ti天宫采用三洋的OSCON系列电容

　　三洋的OSCON系列电容一直倍受玩家瞩目，而这次北影新一代的GTX560Ti天宫更是更换上这种玩家首选的电容。铝电解电容器的电解质以往采用电解液，有机半导体和导电性高分子铝固体电解电容器(OS-CON)采用了比以往的电解液导电性更高的有机半导体(TCNQ复合盐)或导电性高分子材料，因而它的电解质的导电性高，导电性受温度的影响小。  OS-CON通过使用高导电性卷绕芯子，使电解质层更薄，大幅度地降低了等效串联电阻(ESR)。OS-CON虽然是电解电容器，却达到了聚酯电容器那样的卓越频率特性。  OS-CON的构造与铝电解电容器相似，正负极分别采用铝箔，中间加隔纸卷绕而成，与铝电解电容器最大的不同在于用有机半导体或导电性高分子电解质取代电解液，封口采用环氧树脂或者橡胶垫。  OS-CON的额定电压2V-35V，容量1μF -2700μF，ESR最低达7mΩ，分插装型和贴装型。而且，导电性高分子材料较有机半导体的耐热性更好，更易于调控。

三洋POSCAP 钽电容

　　在GPU滤波部分，北影在新版本GTX560Ti天宫上采用多颗昂贵的航天军工级POSCAP高分子电容、高蓄电量以及超高速的充放电效率，大幅提升超频能力与稳定性，极低杂讯，极低的ESR电阻值可使电源更纯净，让电流更顺畅通过，保证显示卡超稳定的超频能力。而POSCAP钽电容的最大优势更是其寿命、由于电解质被高分子固化，因而，具有长的寿命，在105摄氏度时可以达2000个小时。较好的热稳定性不会出现采用电解液的铝电解电容器那样的电解液干涸现象。而其卓越的自愈能力更是强大，导电性高分子材料的有机物与二氧化锰无机物相比，在较低的300℃高温下就会出现热分解及绝缘化。因此，在短路的前兆阶段，即电流流过正极表面氧化绝缘层产生的焦耳热，会在氧化层微小的绝缘不充分部位形成导电性高分子绝缘层，阻碍电流通过达到自愈修复效果。而POSCAP也非常耐热，导电性高分子材料的耐热性高，可以达到无铅化回流焊的温度要求。大大增强了显卡的稳定以及寿命。

ware系列铁素体电感

　　北影新一代GTX560Ti天宫采用最新研发的wave系列铁素体电感，与传统铁素体电感相比增加散热面积20%以上，散热面积更广，电感温度更低，保障效能稳定以及寿命更长久，而新一代ware系列铁素体电感效率更高，让北影显卡供电稳如泰山。

IR航天军工级DirectFet Mosfet

　　IR品牌DirectFet封装的航天军工级Mosfet，铜金属封装，高耐温，电流转换效率极高，保证GPU、显存供电的的纯净以及稳定。而DirectFet在高达70A的输出电流下，其转换效率依然可以高达85。83%，而一般方案的效率仅仅只能到80%！而采用DirectFET封装的MOSFET没有引脚，DirectFET封装采用直接芯片粘贴，没有线压焊或者引线框，大大降低了封装感抗和封装阻抗。与SO-8相比，封装阻抗减少了90%以上，而封装电感也从SO-8时候的2nH减到了0.5nH，寄生效应明显减弱，这都为减少损耗提供了重要保证。

　　而由于其封装不同，漏极裸露的铜片通过两边的焊盘与PCB焊接在一起，和PCB接触面积更大，对电流传导有着更好的环境。而本身是因为采用铜片外壳封装的缘故，下方可以直接通过PCB传导热量，而表面上方则是可以通过空气流动而带走热量，DirectFet Mosfet的整体的散热大大强于传统的Mosfet，有效保障显卡的效能以及寿命。

　　而北影全系产品都采用航天级别的PCB工艺，成本比普通PCB提高10个点以上；华丽的黑色PCB，尽显航天风范！

　　我们可以看出，北影在自己新一代的GTX560Ti天宫更换上了更好的料件，而更好的料件所带来的就是更加强劲的超频性能、更稳定的运行，并且能让显卡整体更加长寿。而新一代的北影GTX560Ti天宫更是让显卡界供电部分从“三个代表”中走出，带领显卡领域脱离末法时代，而显卡亦将会更加耐久，更加强劲！而北影的IR航天军工级DirectFet Mosfet对比其他Mosfet有什么优势？敬请大家关注后续报道！