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　　[PConline 资讯]近日三星在韩国举行了新一轮晶圆代工制造论坛会议，超过500多名无晶圆厂芯片客户与会，副总晶圆代工业务的三星副总裁Jung Eun-seung公布了三星在半导体制造工艺上的进展。

　　三星今年9月份将完成韩国华城的7nm EUV工艺生产线，明年1月份量产。在7nm之后，三星还将推出5nm FinFET工艺，目前已经完成了技术研发，而且5nm被视为是最后一代FinFET工艺。

　　之后的重大节点就是3nm了，三星率先公布了3nm节点将使用GAA环绕栅极晶体管技术，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

　　不过我们要注意，最近日本针对韩国的制裁正在实施，限制重要的半导体加工材料氟化氢和“光刻胶”，这也是目前三星半导体产业所要面临巨大难题，所以未来三星半导体的走向也很难讲呢。