正在阅读:三星完成5nm制程工艺研发 下一步将会是3nm三星完成5nm制程工艺研发 下一步将会是3nm

2019-07-05 00:15 出处:PConline原创 作者:二氧化二氢 责任编辑:yangyang9

  [PConline 资讯]近日三星在韩国举行了新一轮晶圆代工制造论坛会议,超过500多名无晶圆厂芯片客户与会,副总晶圆代工业务的三星副总裁Jung Eun-seung公布了三星在半导体制造工艺上的进展。

Exynos 5250

  三星今年9月份将完成韩国华城的7nm EUV工艺生产线,明年1月份量产。在7nm之后,三星还将推出5nm FinFET工艺,目前已经完成了技术研发,而且5nm被视为是最后一代FinFET工艺。

  之后的重大节点就是3nm了,三星率先公布了3nm节点将使用GAA环绕栅极晶体管技术,三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

  不过我们要注意,最近日本针对韩国的制裁正在实施,限制重要的半导体加工材料氟化氢和“光刻胶”,这也是目前三星半导体产业所要面临巨大难题,所以未来三星半导体的走向也很难讲呢。

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