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　　近日，2020年“中国(深圳)集成电路峰会”在深圳成功召开。本届峰会主要聚焦IC设计产业、研讨先进特色制造和封装工艺、探索创新生态体系、促进产品创新应用。作为聚焦于半导体存储器与特色先进封测制造的代表企业，佰维应邀出席峰会“集成电路设计创新论坛”，公司副总经理刘阳先生作了《国内存储器厂商面临的挑战与机会》的主题演讲报告。

　　刘总认为，国内半导体市场正面临着全球半导体产业转移和国家大力扶持的历史机遇，存储器作为半导体集成电路的重要子集，面临巨大的发展机遇，中国是全球智能终端重要市场，也是存储器消费大国，中国存储器市场发展前景广阔。在国内存储市场竞争中，国际存储巨头与国内存储厂商形成了紧密的产业链合作，也不断地繁荣了大陆存储产业链布局。

　　刘总进一步指出，国际存储巨头与国内存储厂商的关系，虽然有竞争，但更多是合作和互补。因为存储市场容量足够大，国际存储巨头专注于提供规模化的存储产品，近年来专注研发大容量、高性能存储芯片，不断推进先进存储技术并凭借技术优势获取较高市场份额。国内存储企业由于各家所处的发展阶段不同，在以领先企业为目标进行技术跟进的同时，结合自身技术特点和市场需求，专注于成熟产品的细分市场并实现填补和替代效应，与行业领先企业形成差异化竞争。佰维作为存储行业的老兵，在其多年来的发展历程中，慢慢地走出了属于自己的“存储+封测”双轮驱动模式，致力于从芯到端赋能万物互联。

　　佰维多年来专精于半导体存储器的创新研发与封测制造，布局了全系列、全容量、全场景应用的存储产品线矩阵，涵盖了标准化、规模化的通用型存储器以及“千端千面”的行业定制化方案，最终实现从客户端需求开发到最终产品端量产的一站式交付能力。佰维是国内最早布局封测制造的存储企业，优异的封测制造工艺赋予了公司更灵活的和快速响应的定制化优势，通过研发与封测实力不断赋能存储芯片小型化、大容量与低功耗，进而满足终端设备日益轻薄与高集成度的需求。

　　如大家所知，存储芯片容量的提升一方面来自于3D NAND对2D NAND的突破，单颗Die存储密度不断增大。而封装层面上，芯片大容量提升则依赖于超薄Die和叠Die等核心封测工艺。以单Die 32GB为例，通过8叠Die封装工艺，最终NAND芯片可以达到256GB，而通过16层叠Die工艺单芯片容量则可以达到512GB；此外，鉴于智能穿戴设备对存储芯片厚度敏感需求，佰维通过超薄Die工艺，佰维超小eMMC寸尺可做到7.5mmx8.0mm，产品厚度最薄可至0.6mm。

　　佰维ePOP封装结构

　　从产品内部结构看，存储芯片本身就是一个小型的复杂集成单元，由NAND、控制器组成了eMMC，通过新增DRAM缓存则成为eMCP，通过多器件、多层异构架构的集成，通过封装工艺解决尺寸问题的同时，还需要软件算法、硬件仿真等解决固件调校、信号干扰等，才最终造就了一颗存储芯片的诞生。　而这些核心的封测技术能力则构成了佰维以SiP为核心的特色先进封测能力，封测业务覆盖至存储器、通信芯片等，并针对IC设计公司、高校和院所的需求，提供24小时快封服务。

　　未来，万物互联带动各垂直行业模组放量，存储市场需求量巨大。随着原厂产能不断释放，加之下游终端需求量激增，以SiP为核心的先进封测市场将进一步爆发，佰维将从存储器芯片以及封测服务能力上赋能万物互联时代的到来。