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美光HBM4技术实现重大突破:带宽高达2.8TB/s,远超行业规范

DIY硬件频道 编辑:李昕宇 发布于:2025-09-24 22:25 PConline原创
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美光公司宣布HBM4技术取得突破,带宽高达2.8TB/s,超越行业规范。CEO桑杰表示,新一代HBM4内存将于明年推出,性能领先。此举满足客户对更强性能的需求,加速AI、高性能计算创新迭代。英伟达和AMD将首次采用定制化HBM内存。美光展现了在算力军备竞赛中的核心作用。

美光在发布2025财年第四季度及全年财报时,除了业绩超出市场预期,还披露了下一代高带宽内存(HBM)的关键进展,引发行业广泛关注。

图片来源:micron

美光CEO桑杰·梅赫罗特拉在财报电话会议上证实,公司新一代HBM4内存将于明年推出,多项性能指标超越了(固态技术协会)制定的基础规范。美光12层堆叠的HBM4正按计划推进,以支持客户平台的扩展。近期,美光已向客户交付HBM4样品,其带宽超过2.8TB/s,针脚速率突破11Gb/s,处于行业领先水平。

图片来源:micron

桑杰认为,英伟达等客户正要求HBM制造商打造性能更强的HBM内存,以跟上其计算芯片呈指数级增长的性能需求。为满足这些需求,美光超越了JEDEC规范。美光的HBM4在性能和能效方面均属行业一流,胜过所有同类竞争产品。成熟的1-gammaDRAM、创新且能效高的HBM4设计、先进的CMOS基础芯片以及先进封装创新,是打造这款一流产品的关键差异化因素。

图片来源:micron

此外,桑杰还确认,对于HBM4E,美光不仅提供标准产品,也提供基础逻辑芯片定制。此前有报道称,英伟达和AMD将首次采用定制化HBM内存。在HBM堆叠中,最多可堆叠12层DRAM芯片,通过硅通孔(TSV)连接,还可嵌入多样化可选的基础芯片,其定制化逻辑或加速器电路能满足特定需求。

图片来源:micron

小编认为:美光 HBM4 的性能突破,展现了存储技术的快速演进。在 AI 算力需求爆发的当下,更高带宽、更优能效的 HBM 成为关键支撑。美光此次超越行业规范的表现,不仅是技术实力的体现,也为英伟达、AMD 等企业的高端计算产品提供了更强 “弹药”,有望加速 AI、高性能计算等领域的创新迭代,同时也让行业看到存储技术在算力军备竞赛中的核心作用愈发凸显。

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