正在阅读：3D V-NAND闪存加持!三星850EVO首发评测3D V-NAND闪存加持!三星850EVO首发评测

三星850EVO 500G拆解赏析：

拆解需慎重

　　背部螺丝位的设计跟840EVO类似，一颗裸露在外面，另外两颗置于标签的下面。这里要吐槽一下，非规则的螺丝排布，让小编拆起来不容易，完全凭感觉找到螺丝位置，拆解时严重损坏背部的标签，提供广大网友拆解需慎重。

　　打开外壳，你会大吃一惊的。原来SSD的PCB板可以做到这么小！这自然得益于三星闪存的高集成。

PCB板的正面

PCB板的反面

　　PCB板正面总共有2颗闪存颗粒和1颗缓存芯片、1颗主控芯片，背面还有2颗闪存颗粒，全部由三星自主研制，独家的技术也是三星SSD品质的保证。

闪存芯片

　　闪存芯片的具体型号为K90KGY8S7C，采用了三星自己的32层3D V-NAND技术，1Xnm纳米制程，仍旧是3Bit 闪存，即TLC闪存。不过，得益于三星领先的3D V-NAND闪存技术，突破了目前传统平面NAND结构面临的密度限制、性能与耐用性问题。3D V-NAND闪存由32个单元层垂直堆叠而成以适应水平空间，并没有减少单元层尺寸，而且由于采用了更小的碳足迹，此结构密度更高，性能更卓越。

　　该技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式，通过改进型的Charge Trap Flash 技术，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。这样的设计，我们可以通俗的理解成，在单位空间内，晶体管的容量是以立体形式堆叠出现的，就好比在一块土地上盖房子，如果是采用平房结构，那么就会降低土地的利用率，要是采用楼房的形式，就会大大提升单位面积的利用率。单颗闪存的容量就高达128GB容量，4颗即组成了512G容量，未来SSD容量不足的问题将迎刃而解。

主控芯片

　　三星850EVO采用了第六代MGX主控，编号S4LN062X01-Y030，此前MEX主控的编号是S4LN045X01-8030。至于它有哪些改进之处，有哪些新特性，暂时还了解不是很多，后续再给大家补上。

缓存芯片

　　三星850EVO配备了自家大容量的LPDDR2-1066 DRAM缓存，500G缓存容量为512MB，而最小的120G缓存容量为256MB。