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2014-12-19 00:15 出处:PConline原创 作者:James、Huxiangyu 责任编辑:chenzhangwu

三星850EVO 500G拆解赏析:

三星850EVO 500G
拆解需慎重

  背部螺丝位的设计跟840EVO类似,一颗裸露在外面,另外两颗置于标签的下面。这里要吐槽一下,非规则的螺丝排布,让小编拆起来不容易,完全凭感觉找到螺丝位置,拆解时严重损坏背部的标签,提供广大网友拆解需慎重。

三星850EVO 500G

  

三星850EVO 500G

  打开外壳,你会大吃一惊的。原来SSD的PCB板可以做到这么小!这自然得益于三星闪存的高集成。

三星850EVO 500G
PCB板的正面

三星850EVO 500G
PCB板的反面

  PCB板正面总共有2颗闪存颗粒和1颗缓存芯片、1颗主控芯片,背面还有2颗闪存颗粒,全部由三星自主研制,独家的技术也是三星SSD品质的保证。

三星850EVO 500G
闪存芯片

  闪存芯片的具体型号为K90KGY8S7C,采用了三星自己的32层3D V-NAND技术,1Xnm纳米制程,仍旧是3Bit 闪存,即TLC闪存。不过,得益于三星领先的3D V-NAND闪存技术,突破了目前传统平面NAND结构面临的密度限制、性能与耐用性问题。3D V-NAND闪存由32个单元层垂直堆叠而成以适应水平空间,并没有减少单元层尺寸,而且由于采用了更小的碳足迹,此结构密度更高,性能更卓越。

SSD

  该技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式,通过改进型的Charge Trap Flash 技术,在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元,使得在同样的平面内获得更多的存储空间。这样的设计,我们可以通俗的理解成,在单位空间内,晶体管的容量是以立体形式堆叠出现的,就好比在一块土地上盖房子,如果是采用平房结构,那么就会降低土地的利用率,要是采用楼房的形式,就会大大提升单位面积的利用率。单颗闪存的容量就高达128GB容量,4颗即组成了512G容量,未来SSD容量不足的问题将迎刃而解。

三星850EVO 500G
主控芯片

  三星850EVO采用了第六代MGX主控,编号S4LN062X01-Y030,此前MEX主控的编号是S4LN045X01-8030。至于它有哪些改进之处,有哪些新特性,暂时还了解不是很多,后续再给大家补上。

三星850EVO 500G
缓存芯片

  三星850EVO配备了自家大容量的LPDDR2-1066 DRAM缓存,500G缓存容量为512MB,而最小的120G缓存容量为256MB。

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