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　　【PConline 资讯】2016年闪存峰会（Flash Memory Summit）在美国加州圣克拉拉举行顺利举行，会上，镁光发布了他们的首款3D NAND闪存芯片，这种闪存芯片的最大特点是在不改变尺寸的前提下可以拥有更多的存储空间，对于觉得手机容量小的消费者来说，这或许是一个好消息。

　　据悉，镁光这款3D闪存芯片的容量为32GB，基于新的UFS2.1标准，而就目前为止，市面上的所有智能手机均未采用这种理论上更快的存储协议。从目前的消费市场来看，智能手机对于内存容量的需求越来越大，更多的虚拟现实应用和流媒体占用了大量的存储空间，这也是镁光将目标瞄准市场上中高端智能手机的原因之一。镁光还认为，在几年之内智能手机的内存容量可能会达到如今PC的平均水平，在2020年可能会达到惊人的1TB。

　　与传统的2D NAND水平排布储存单元不同，3D NAND使用垂直的方式排布储存单元，这种方式既能拥有更高的容量，又能让芯片间的通讯变快。3D NAND闪存芯片技术并非镁光独有，英特尔和三星都已经在SSD上应用了这种技术。