DDR4内存技术解析:冲击5GHz不是问题

2011-10-10 17:24  出处:PConline原创  作者:存在主义饼干   责任编辑:mengxiaodong 

  【10月10日太平洋电脑网广西站】随着内存的价格进一步白菜(2G DDR3仅90元),超大容量的内存系统早已飞入寻常百姓家,现在装机,4G起跳,6G随便,12G还行,16G圆满、24G高端的阵势,短时间内是改变不了。然而,内存频率比容量对性能的提升帮助更大。现在DDR3的频率最高可达2133,但随着DDR4内存的显山露水,内存频率冲击5000MHz大关,已不是天方夜谭,一起看看外媒朋友对DDR4内存技术发展的探讨:

DDR4
DDR内存的发展趋势

  此前JEDEC固态技术协会就正式宣布未来DDR4内存标准的关键技术,预计将会在2012年中,DDR4内存将会具备更高的性能,并且功耗方面更低。

DDR4技术特性全面展示

  D-DR4针对未来服务器笔记本台式机、消费电子产品进行创新设计,并且具备诸多新的技术特性,首先传输率方面,DDR4将会有1.6 GT/s到3.2 GT/s的速度,而目前DDR3是是1.6 GT/s。同时DDR4还包括在DQ bus、更高的2667 Mhz数据传输率、Bank群组结构以及集成VrefDQ和增强的训练模式等等。

DDR4
DDR4标准的技术规格

  Bank群组结构是个8n预取群组结构,它可以使用两个或者四个Bank组,这允许DDR4内存在每个Bank群组单独被激活、读取、写入或刷新操作,这样可以带来更高的内存小了和带宽。

  同时在电压方面,DDR4也进行了调整,预计它的VDDQ电压将会在1.2V,未来还会进一步下调。

除此之外还有以下特性将会被采用

·提供三种数据宽度:x4, x8和x16

·新的JEDEC POD12接口标准(工作电压1.2V)

·DifferentialSignaling( 差分信号技术)

·新的终止调度:在DDR4中DQ bus可以转移终止到VDDQ,这样可以即时VDD电压降低的情况下也能保证稳定

·正常和动态的ODT:改进ODT协议,并且采用新的Park Mode模式可以允许正常终结和动态吸入终结,而不需要去驱动ODT Pin。

·突发长度和突发停止长度分别为8和4

· 数据遮掩

·DBI:可以降低功耗并且提升数据信号完整性

·新的数据总线CRC技术,可以进行传输过程中的错误侦测,特别对非ECC内存进行写入操作时有帮助。

·针对命令和地址总线的新的CA奇偶校验

·DLL关闭模式支持

  为进一步推广和采用DDR4标准,JEDEC打算在公布标准以后,举办DDR4 Technical Workshop会议,更多信息将会在以后正式公布。

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