追求极致 映泰TPOWER I55率先启用量子芯

　　英特尔首次使用单芯片的设计方案应用于前不久发布的P55芯片上。身为极限超频的领导者映泰TPOWER 系列产品，以原来的产品精神：极限、耐用、美观、稳定，用量子芯的新用料设计直接实现低温节能、游戏、持久的基因变身于TPOWER I55主板身上，是板卡领域中首家使用IR公司专利技术的DirectFET  MOS供电芯片——“量子芯”，这种高级用料及电源设计技术以往只能在服务器或者高级笔记本里或者是索尼PS3的游戏机里看到， 体现了映泰在设计思路和功能上的重大突破，在同类P55芯片主板中脱颖而出。

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　　映泰TPOWER I55使用的DirectFET量子芯采用高纯度硅片、昂贵稀有金属，以最新纳米技术制程制造，精密程度不亚于CPU芯片; 量子芯为铜外壳包装，全新的贴片工艺焊盘，发热量低，工作寿命为普通供电MOS管10倍以上。DirectFET量子芯专用于高端服务器、笔记本等，德国英飞凌科技精密芯片也获授权采用这种专利技术。一对DirectFET量子芯供电能力相当于5颗普通MOS管。 DirectFET量子芯四大特点为TPOWER I55极限超频提供最好的供电支持，帮助创造INTEL Core i5 750达5182.32 MHz的超频世界纪录。

1、 双面散热铜外壳
DirectFET量子芯硅片被装入铜外壳，封装的底部是经特殊设计的芯片，直接焊到PCB板的表贴焊盘，铜外壳结构提供高效的双面散热。

2、 散热效率快2.5倍
Direct FET采用独有的结构和用料，从封装顶部散掉的热量是普通SO8 MOS的两倍半，有效的顶部散热意味器件散发出的热量可以被带离线路板，增加元器件安全工作的电流值。

3、 废热损耗减少8倍
普通的MOSFET使用引线键合来实现硅片和管脚框架之间的电连接，而DirectFET，将接触面的数目和传导路径的长度减到最小从而减小了传导损耗。 DirectFET封装提供了最优良的封装阻抗，仅为普通MOS损耗1/8左右,减少废热产生。

4、供电性能1个顶2.5个
满足极限超频供电18A高电流需要，用最好的单面散热的SO8封装MOSFET，每相要用五只，采用双面散热的DirectFET贴片MOS管只需两只。

　　映泰TPOWER I55除了以上说的“量子芯”技术以外，TPOWER极限超频、Dura-MAX独有供电技术、BIO-V玩家测电功能、全固态电容、Direct FET贴片MOS管和为，O.M.G超频机灵也是主板的一大亮点，TPOWER I55可谓是身怀绝技，成为玩家超频达到极限的助推器。

[参考价格] 映泰 TPOWER I55

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