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解开三星840 EVO写入性能暴涨之谜

●容量变大：128Gb NAND立功

　　首先来看容量，840 Evo最大的变化是新增了750GB和1TB容量，这很容易让人联想到之前美光M500发布时新增的1TB容量，实际上二者实现超大容量SSD的原因也是相同的——都使用了128Gb NAND闪存。

IMFT生产的128Gb NAND闪存

　　目前NAND的制程工艺普遍是20nm级别，三星此前的840 Pro和840使用的都是21nm工艺，跟IMFT的20nm NAND类似，每个die容量都是64Gb，单片NAND容量则是32GB。三星840 Evo的制程工艺略有升级，新闻中只说使用的是Anvanced 10nm Class工艺，但实际上现在最先进的也只是美光刚刚试产的16nm NAND，三星的10nm级别工艺还是更接近20nm的优化版，考虑到三星与东芝同属Toggle NAND阵营，在没有得到三星官方确认下，我们假定840 Evo使用的是19nm Toggle NAND。

速度提升：MEX主控提速至400MHz

　　一般来说，制程工艺升级之后，NAND的性能是会有下降的，但是这个性能损失可以通过其他方式弥补。三星840 Evo使用了更先进的工艺，不过它的读写速度及IOPS反倒更强了，性能直追840 Pro系列。

　　840 EVO SSD除了制程工艺有升级之外，NAND接口依然是Toggle 2.0标准，120GB型号的缓存依然是256MB LPDDR2，另外变化的就是主控了，840 EVO使用的是MEX主控。与840 PRO、840使用的MDX主控相比，MEX依然是三核心Cortex-R4架构，不过运行频率从300MHz提高到了400MHz。主控相当于SSD的大脑，其运行速度越快，理论上性能也会越强，这应该是840 EVO SSD写入速度大提升的原因之一。

加入了一个高性能缓冲“TurboWrite”

　　同样是TLC NAND闪存颗粒，840 EVO系列加入了一个高性能缓冲“TurboWrite”，可以在空闲的时候将其中的数据传给硬盘。加入了缓冲，使用本质还是3bit MLC的SSD工作在SLC模式下，性能自然可以大大提高。

PConline总结：

容量更大，速度更快，价格能更低吗？

　　用过SSD之后，消费者普通都会认可SSD带来的好处，我们对SSD的诉求不外乎容量更大、速度更快、价格更低，随着128Gb NAND闪存的SSD大量出现，容量更高这一点上镁光M500、三星840及现在的840 EVO已经达到，840 EVO顺便也把速度提高到了840 PRO的水平，前两点要求可以说是已经实现了。

　　 3bit MLC闪存原本最主要的优势是成本低，不过初期上市的840 SSD售价不算低，现在120GB的价格也维持在了600元左右，相比低价版的MLC闪存并没有太大优势，而且目前生产3bit MLC显存的厂商并不多，竞争压力明显不足。

　　总的来说，三星840 EVO的出现为们带来了容量更大、速度更快的SSD，剩下的关键问题，500G的三星840EVO目前还没有国内的售价，国外售价369.99美元（不含税），折合人民币大约2K3，而目前250GB的840在1100元，500GB的要2200元。虽然相比传统硬盘依然还是不容易让人接受，但比起840 500G，价格相仿，但速度更快，显然更值得购买一些。