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浦科特PX-G128M6e赏析：

浦科特PX-G128M6e包装盒

浦科特PX-G128M6e包装盒

 　　浦科特M6e 的包装非常简洁，和内存的包装差不多。顶部的卡扣用热胶封合，拆开的时候需要使点劲。标签标明了SSD的持续和4k随机读写性能，分别为770/335MB/s，96k/83k IOPS。

　　打开外壳后还有塑料卡片固定SSD，取出后能看到SSD真容。

SSD本体

SSD标签

　　浦科特M6e  128G SSD为长条形，和PX-AG128M6e无区别。靠近接口的地方的标签标明了它的具体参数。我们可以看到他的工作电压为3.3V，电流2.0A，以及各种认证标志。

闪存芯片

　　闪存方面，采用的闪存颗粒来自大名鼎鼎的19nm Toggle DDR2.0 MLC NAND Flash，单颗8x16G共128G配置。

主控芯片

  　　背面附着另外四颗闪存芯片，以及Marvell最新一代基于双核32bit ARM V5处理器的88SS9183-BNP2主控。

海力士缓存芯片

  　　缓存不同于PX-AG128M6e，采用海力士H5TQ2G63DFR缓存颗粒，速度为DDR3-1333 CL9高速缓存，容量256MB。

浦科特PX-G256/512M6e赏析：  

 
浦科特PX-G256/512M6e外壳

  　　浦科特PX-G256/512M6e标签标明了理论传输速度，256G版本的持续读写性能为770/580/MB/s，4k随机读写105k/100k。而512G版本的持续读写性能则为770/6250/MB/s，4k随机读写同样为105k/100k。

 
浦科特PX-G256/512M6e标签

  　　同样的，浦科特PX-G256/512M6e标签标明了各自的具体参数，两者的工作电压均为3.3V，256G的工作电流为2.5A，而512G的工作电流则为3.5A，因此512G的功耗会稍高一点。

 
闪存芯片

　　闪存方面，同样采用的东芝的19nm Toggle DDR2.0 MLC NAND Flash，配置分别为8x32G共256G、8x64G共512G。

 
缓存芯片

 　　缓存方面，浦科特PX-G256M6e采用南亚易胜NT5CB128/256M16FP-CG DDR3高速缓存芯片，速度为DDR3-1333 CL9，容量512MB。而512G版本则采用镁光DDR3 1GB高速缓存，以应付大容量储存需求。 

 　　主控方面256G和512G版本均采用前面介绍到的Marvell最新一代基于双核32bit ARM V5处理器的88SS9183-BNP2主控。

　　芯片介绍到此为止，下面我们就看看突破SATA3.0限速的SSD性能究竟有多强。