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　　【PConline 杂谈】HBM这个名词对于很多人来说依旧并不熟悉，但如果在前面加一个定语“AMD全新旗舰显卡搭载”，相信很多人就会有所了解了。在之前的首测当中我们也对HBM技术作了一定的解释与分析（相关链接：点击查看），但是对于很多读者来说依旧不是非常了解，所以今天小编决定有必要再为你们进行更加详细地分析一下HBM！

HBM现在的优势在哪里？

　　相对于传统的GDDR5显存来说，HBM无疑是更加先进的，甚至可以说是未来高速存储的发展风向标！原因也很简单GDDR5经过这么多年的发展已然来到了一个瓶颈的位置，光靠频率提升来提供更大的显存位宽已经没有太大的空间，而这势必会反过来影响到GPU的性能发挥。

　　这张图除了规格对比之外，还能很清楚的看到HBM的实际结构，尤其是四层DRAM叠在最底的底层die之上，虽然AMD一直也没有给出HBM本体的具体制作过程（绝对的商业机密），但是不难想象4层绝不是HBM未来发展的极限，而随着层数的增加位宽势必还会迎来进一步的增加。

　　相反的，HBM通过打造高位宽低频率的显存，使得在提供比较大的显存位宽的基础上不需要那么高的频率，同样的4GB容量下HBM能提供的显存位宽为4096bit，比GDDR5的512bit高出8倍，这也是为什么HBM即便只有1GHz的等效频率也能最终实现大于GDDR5的显存带宽！而且这一个优势还会随着HBM显存后期频率方面的进一步提升而进一步加大。

　　除了性能潜力之外，实际工作频率还关系到另外一个非常重要的问题——较高频率带来的更大幅度的功耗提升，这也是GDDR5目前的最大瓶颈。而低工作频率使得HBM的每瓦下了率足足高出3倍，相信在HBM显存的位宽随着叠层数量的进一步增加还会有所增加，那时低频率的优势还会进一步加大！

2D到3D——半导体行业发展的必然趋势？

　　如果硬要说HBM显存技术中最重要的是什么，那绝对要算最基础的堆叠设计了，简单点说就是将传统的2D电路设计转变为立体的3D电路设计，充分利用所有的内部空间之余还能大幅减小基板的面积，从而也推进了SOC以及小型化的发展，可以说这绝对半导体行业发展的必然趋势。

　　其实在手机等小型移动端，半导体堆叠早就已经开始，不过形式上只是显存和处理器在封装之后再进行立体的堆叠，但是对于小型移动端寸土寸金的内部空间来说，两篇芯片的堆叠已经节约了大量的PCB面积，在PCB面积变小之后也能腾出更多空间来容纳电池等其他设备，从而获得更长的续航时间等其他能力。

　　反观DIY领域，其实Intel在CPU中也已经开始推行“3D晶体管”，也就是在微架构下的半导体3D化技术，虽然与芯片直接堆叠的效果相比没有那么明显，但是在制程不变的基础下可以在一定幅度内缩减芯片的面积，但是由于在频率和制程上没有太大的改变，所以在功耗上也没有太大的改变，也证明这种“伪3D化”不是终极的解决方案。