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　　【PConline 评测】前不久，笔者曾为大家带来了由三星在中国市场上最新推出的采用韩国原厂内存芯片的DDR3内存测试（相关链接：三星DDR32G内存评测），其具备的优秀品质给我们留下了较深刻的印象。

　　其实，这次推出的新版三星内存除了有主流2GB容量版本外，还有专门针对大容量内存用户需求设计的，单条容量达到4GB的内存产品——三星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)，今天我们就为大家带来这款单条容量达到4GB的内存详细测试，一起来看下吧。

三星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)  图片  评测  论坛  报价

　　三星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)内存在设计上与前段时间为大家评测过的，同样来自三星的DDR3-1333 2GB内存基本一致，均采用黑色窄板型PCB设计，只是在内存容量上由2GB提升至4GB。

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温馨提示：如果您不了解内存的相关信息，请点击以下链接进入相关内容阅读：

选购内存时需要注意的地方：
//diy.pconline.com.cn/cpu/study_cpu/1008/2190224.html

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三星 DDR3 1333 4G内存赏析：

　　三星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)内存采用全黑窄型PCB作为内存元件基板设计，高度只有普通标准内存高度的二分之一，矮小的设计可以为平台腾出部分散热空间，同时也不会对体积巨大的散热器造成安装上的冲突。

　　三星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)内存采用双面搭载内存芯片模块设计，在窄小的内存PCB板上每面焊接了各八枚内存芯片，两面共16枚内存芯片模块构成了内存4GB的规格容量。

　　由标签贴纸上可以得知，三星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)内存的规格容量为4GB，2Rx8表示了内存采用双面焊接设计，采用10600工作频率，即DDR3-1333，内存生产地为韩国。内存时序部分并未明确表明，但在其官网查询后得知内存的时序值为CL=9。

　　三星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)内存所使用的双面焊接设计相比单条2GB的单面焊接设计在PCB电路设计空间上要小上不少，所以内存的电容排阻以及蛇形走线都被设置在空间较为宽敞的PCB两侧边缘，内存条整体的电路设计以及元件焊接工艺都体现出专业大厂的雄厚实力。

　　三星 DDR3 1333 4G(MV-3V4G4/CN)内存所采用了内存芯片型号为K4B2G0846C的三星原厂内存颗粒，每块内存颗粒的容量为256MB，16枚内存芯片组成了4GB的内存规格容量。

　　内存的技术数据我们可以通过AIDA64检测软件进行查看，由软件查询所得信息可以看到内存模块名称为Samsung M379B5273CH0-CH9，内存模块生产日期为2010年第42周，约为2010年10月中旬。存取速度为DDR3-1333，采用1.5V供电设计，模块类型为Unbuffered DIMM，内存模块同样来自韩国Samsung原厂制造。

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玩家稳定之选!三星新款主流DDR3内存评测
//diy.pconline.com.cn/cpu/reviews/1103/2360485.html

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