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2011年存储行业市场展望：

内存将走进30nm制程时代

　　总体上看，2011年下半年大部分内存芯片厂商将使用各种基于30nm技术的制程来制造内存芯片产品。三星和Hynix正在积极向30nm制程迁移。更有趣的是，日本尔必达公司则正在计划从65nm或65nm的缩减版制程一步跳跃到30nm节点制程，转换完成后，尔必达内存芯片产品的成本将大幅降低。

晶圆

韩国厂商垄断内存芯片市场

　　从市场角度看，与NAND闪存市场众商家实力接近的局面有所不同，内存市场很有可能会呈现出韩国厂商独领风骚的局面。目前，仅有韩国的三星和Hynix公司可以称为一级内存厂商，而镁光，南亚，华亚则因财力，技术实力方面稍逊一筹而排在第二集团；尔必达，力晶，瑞晶等财力和技术实力较落后，并正试图赶上的厂商则排在第三集团。

颗粒

　　三星目前无疑是DRAM内存界的老大。他们几乎独霸了作为30nm制程DRAM制造的必需品之一的ASML公司生产的NXT液浸光刻机市场。这样，2011年将是三星市场份额大增的一年，相比全球DRAM容量产量增长45-50%的幅度，三星公司的增长幅度可达70%左右。

业界对内存行业2011年发展预估

　　国外著名的Barclays公司的分析师C.J. Muse汇总了近期内存市场的最新信息，并对2011年的内存市场态势做了预测，表示2011年将是NAND闪存而不是DRAM内存大行其道的一年。

　　iSuppli DRAM和内存部高级分析师麦克哈罗德表示，经过了2010年的良好发展，今年DRAM市场可能会遇到麻烦。随着产品的供过于求，今年价格的将会严重下滑，DRAM的产品需求的萎缩状况将会持续到2013年，未来一段时间该产品的价格将无望回归到去年的水平。

宇瞻科技内存产品

　　而全球知名的内存品牌厂商宇瞻科技标准型产品事业处处长罗雪茹女士在接受采访时也表示：“2011年对内存行业的最大考验是要如何掌握需求的变化来弹性的调整库存的消化速度。对于2010年内存行情的虎头蛇尾加上诸多的全球经济不确定因素，使得2011年的操作层面进一步加深，必须更趋保守。”

NAND Flash市场前景一片看好

　　而与此相反的是，2011年NAND Flash市场则前景一片看好，需求量将会乐观成长。专业人士预估2011年NAND Flash位需求成长率较2010年成长约80.2%至9,281.4M 16Gb equiv (数据源：集邦科技)，主要是消费性电子产品需求量的提升，让NAND Flash产业变得更加火热。

镁光闪存颗粒

　　同时，苹果效应产生的作用将会使得2011年全球NAND闪存供应继续吃紧。根据DRAMeXchange的调查，2011年平板电脑的整体市场将大幅提升至将近5,200万台，无论iPad会占据多大的份额，对NAND闪存的需求量都不会下滑，这对整个闪存产业都是不小的冲击。

固态硬盘2011年将迎来快速发展

　　近日，存储解决方案厂商OCZ Technology宣布，它们将退出DRAM产品的业务，专注于固态硬盘（SSD）产品的研发和销售。OCZ一直以高端的DRAM/内存产品而闻名于业界，虽然近年来已经扩大其产品线例如冷却装置和电源产品等，但DRAM依然是占相当大比重的产品，如今OCZ宣布退出DRAM转向SSD，可见其对SSD市场的看好程度。

　　OCZ表示，SSD的收入增长迅速，目前已经达到公司总收入的78%，增长速度为325%，已经超过所有其它类别的产品，因此这促使他们决定停止DRAM业务，并退出市场。

固态硬盘迎来快速发展

　　加上目前希捷科技、西部数据、三星、东芝、富士通、英特尔、AMD、美光科技、SanDisk和LSI Logic等各大厂商已经开始全力力挺固态硬盘，都在随着下一代处理器开始成型而大力开发闪存技术。我们有理由相信，随着固态硬盘技术的不断完善与发展，数据写入速度很可能会提高，内存使用寿命的问题可能也不会是太大的问题，加上正在迅速下降的闪存价格，固态硬盘在2011年将迎来一次快速的发展。