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战况激烈!三星有望年内推出236层NAND闪存

YIHAN 责任编辑:chenyihan 发布于:2022-08-21 00:15 PConline原创

  据韩国媒体Business Korea报道,当前全球最大的存储芯片制造商三星电子,计划在本月新设立一个研发中心,负责研发更先进的NAND闪存。并且三星已经完成了第八代V-NAND技术产品的开发,堆栈层数达到了236层,有望年内进行量产。

  三星电子之所以设立研发更先进NAND闪存的研发中心,是因为其竞争对手已研发出先进产品,SK海力士已宣布研发出了238层NAND闪存,预计明年上半年大规模量产;美光也开始了232层NAND闪存的量产,NAND闪存研发领域竞争激烈。

  从研究机构的数据来看,三星电子目前在NAND闪存市场的份额,远高于其他厂商,就今年一季度而言,三星电子的份额高达35.3%,第二大厂商铠侠的份额为18.9%,SK海力士的份额则为18%。

  三星曾在2013年时凭借24层V-NAND闪存领先竞争对手数年之久,当时的SK海力士和美光也是花了好长时间才追上三星的步伐。如果三星未来要想在NAND闪存市场继续占有优势,势必就需要不断研发更先进的产品。目前已知三星的NAND闪存为第七代V-NAND技术,堆栈层数为176层,不仅落后SK海力士和美光,甚至长江存储基于Xtacking3.0技术的第四代3D TLC闪存堆栈层数也达到了200+。

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  不过三星还是有一定实力的,早在2021年中时,三星就生产了首批200+层数的V-NAND内存,当时只是样品,但也为三星累计了足够的技术经验。据传第八代V-NAND闪存将具有更高的存储密度,堆栈层数将达到236层,但可能会继续依旧沿用4 plane设计,国际大厂美光的下一代闪存以及长江存储的第四代NAND闪存则是6 plane设计,在功耗和能效比上会更有优势。

  跟自家第七代V-NAND闪存相比,三星第八代V-NAND的单颗核心容量从之前的512G翻倍到了1T,同时性能也更强,I/O接口速率从2Gbps提升到了2.4Gbps,并且支持最新的PCIe 5.0标准,性能提升的同时,厚度也得到了控制,据三星官方透露的细节,512G容量闪存仅0.8mm。

  编辑点评:NAND厂商马不停蹄地研发,美光率先量产232层3D TLC,海力士又推出238层 4D TLC,国产的长江存储也迎头赶上,凯侠与西数合作的更高层数TLC也将面世,而三星也即将量产第八代236层TLC,不少业内人士预估NAND Flash层数能够突破600层以上,未来甚至可能出现“一层”绝胜负的局面,最终谁先触抵NAND Flash层数天花板,我们拭目以待。

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