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影驰战将M 256G mSATA SSD赏析：

　　影驰战将M 256G SSD的正面和128G版本完全一样，仅标签不同。

　　影驰战将M 256G SSD的工作电压仍旧是3.3V，工作电流0.83A，比128G SSD工作电流高出0.18A。

　　撕下贴纸后可以看到，PCB正反结构和128G版本一致，正反两面共颗英特尔25nm MLC闪存芯片，编号29F64B08NCMF2，单颗容量64G，正反四颗组成256GB。缓存采用南亚易胜“NT5C128M16FP-D1” DDR3-1333 CL9高速缓存芯片，容量256MB。主控同样是JMF667H双核主控。

　　影驰战将M系列SSD集成度远超普通SSD，元件高度集中，考验厂商的制造功底。