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　　【PConline 应用】Intel近日给大家一个惊喜将，全新旗舰平台发售日期提前至8月29日。现在离发售这一天越来越近了，Intel也已经开始向部分媒体送出评测样品，这无疑是给各位准备入手的土豪再兴奋一把。在Intel的“Tick-Tock”路线的指导下，Haswell-E依然仍是22纳米，多少有些不和谐。不过Haswell-E将会成为Intel桌面平台上首次出现八核心处理器，相比目前的IVB-E平台整整多出2个核心和4线程，现在让我们来再次看看，Haswell-E将带来什么。

　　 英特尔酷睿i7处理器Haswell-E系列阵容极为强势，目前包括三个产品。分别是旗舰级别8核心16线程的Core i7-5960X，次旗舰6核心12线程的Core i7-5930K，以及6核心12线程的i7-5820K。

　　Haswell-E处理器总览：相对以上一代旗舰不变的有22nm工艺、Turbo Boost 2.0睿频加速、超线程、X/K版本自由超频（全系列超频）、最多40条PCI-E 3.0总线，变的则有最多八个核心十六个线程、最多20MB三级缓存、四通道DDR4-2133内存(每通道一条)、130-140W热设计功耗、LGA2011-3封装接口。

●首款桌面八核Intel处理器

　　core i7-5960X拥有八核心(十六线程)处理器，第一次支持DDR4内存，号称3GHz下八核心性能可比四核心的Haswell 3.7GHz提升最多55％，而且型号依然都是解锁的，均可自由超频。如果对比六核心的IVB-E，理想情况下的提升幅度也应该在33-50％之间，如果提升幅度属实，那还是让人满意的。

●超频性能有望提升

　　Haswell上还是普通硅脂，引得怨声载道，就连专为超频而发的i7-4790K、i5-4690K，最后也只是一些高级点的硅脂罢了，早前外国媒体发现Haswell-E顶级型号i7-5960X内部的导热材料并非硅脂，而是效率更高的钎焊材料。相对来说，钎焊是一种比较良心的导热材料，导热系数能够达到80W/mK左右，而一般的硅脂只有可怜的5W/mK左右，差距非常明显。

揭盖有惊喜

　　这个事实至少证明了Intel在高端旗舰产品方面还算有些良心，没有采用廉价的散热方案，这样至少不会因为廉价硅脂而影响到CPU的超频能力。

●DDR4加速来临
DDR4内存终于要来了，预计下半年会有不少消费级产品推出，但昂贵是必须的。最要命的是，Haswell-E还不再支持DDR3，因此要发烧就只能彻底一点了。但有一点令人唏嘘的是，DDR4目前的表现甚至还不如DDR3，所以大家就不要对DDR4内存性能抱太大指望了。

●新接口LGA2011-3

　　Haswell-E仍将采用LGA2011封装接口，长宽尺寸保持在58.5×51.0毫米，2011个触点的分布也不变，间距仍是1.016毫米，但这对于兼容性毫无意义，你仍然得更换新的主板，X79是不能再用了。

　　Intel将这种新接口命名为“LGA2011-3”，区别于现在的LGA2011-0，外观变化有二：首先是散热顶盖从原来的圆角方形变成了类似加宽姨妈巾的形状，方便区别；其次是压入装置(ILM)调整，上下的四个缺口都向右侧移动了2厘米，因此Haswell-E处理器是无法插入X79主板的，SNB-E/IVB-E处理器也插不到X99主板上。