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三星850EVO 2TB SSD概况介绍：

 
三星 850 EVO 2TB(MZ-7LN2T0B/CN)  图片  评测  论坛  报价

　　跟其他容量版本一样，三星850EVO 2TB采用白色的包装，简约明了风格让人眼前一亮。醇黑铝合金金属外壳设计，经过拉丝工艺处理，触感与质感有别于传统的SSD，不仅让SSD很轻薄，而且更坚固耐用，抗摔！

　　三星是全球唯一所有SSD组件都是内部自主设计和生产的厂商，可以实现完全优化的集成。作为840EVO升级型号，850EVO延续原厂主控、闪存、缓存、固件的四位一体优势。当然，三星850EVO最大的优势还在于采用了3Bit 3D V-NAND闪存。单位存储密度、P/E耐久度、可靠性较之840 EVO的2D平面闪存有质的提升。

　　三星850EVO 2TB 采用的SATA3.0接口，向下兼容SATA2.0/1.5的旧接口。虽然现在市场上涌现了不少PCI-E、M.2接口的SSD，但主流市场仍旧SATA3.0的天下，设备兼容性好，应用更方便，普及程度高。不过缺点也明显，其原始设计的接口理论传输速度仅6GB/s，一定程度上也限制SSD真实性能发挥。

　　通过背部的标签可以清楚地看到，850EVO的型号为MZ-75E2T0，容量为2TB，彻底告别GB时代。大容量，意味需要更多的闪存颗粒支持，所以850EVO 2TB功耗要稍高一些，工作电压为5V，工作电流达到了1.95A。动态读取/写入(平均): :最大3.7W/最大4.7W；闲置时，功耗仅60mW。相比于显卡、CPU的功耗，这点功耗几乎可以忽略不计。

三星850EVO 2TB SSD拆解赏析：

　　相比于外观设计，相信大家内部的结构更感兴趣。到底有多少颗芯片，组成这2TB恐怖容量的呢？

　　拆开后，发现仍旧是短小的PCB板设计，体现三星SSD工艺的高度集成。

　　PCB板做工精致，芯片的布局排列合理，焊点整齐，电路设计体现三星SSD一线大厂的制造实力。PCB正面共设计一颗主控、一颗缓存及8颗闪存芯片，PCB板正面各四颗。

主控

　　三星850 EVO 2TB SSD采用S4LP052X01-8030（MHX）主控芯片，这是MEX、MGX的升级版，可支持三星大容量SSD。这个MHX主控有什么改善目前还不太清楚，三星并没有公布新主控的任何信息。

 
缓存

　　三星850EVO配备了自家大容量的LPDDR2-1066 DRAM缓存，2TB缓存容量高达2GB。

 
闪存颗粒

　　闪存芯片的具体型号为K9DMGB8S7C，单颗容量就高达256GB，意味一颗闪存就能做成一块256GB SSD。这一切都源自于3D V-NAND闪存技术。

　　三星850EVO 2TB采用三星32层3D V-NAND技术，突破目前传统平面NAND结构面临的密度限制、性能与耐用性问题。3D V-NAND闪存由32个单元层垂直堆叠而成以适应水平空间，并没有减少单元层尺寸，而且由于采用了更小的碳足迹，此结构密度更高，性能更卓越。