三星850EVO 2TB SSD概况介绍: 跟其他容量版本一样,三星850EVO 2TB采用白色的包装,简约明了风格让人眼前一亮。醇黑铝合金金属外壳设计,经过拉丝工艺处理,触感与质感有别于传统的SSD,不仅让SSD很轻薄,而且更坚固耐用,抗摔! 三星是全球唯一所有SSD组件都是内部自主设计和生产的厂商,可以实现完全优化的集成。作为840EVO升级型号,850EVO延续原厂主控、闪存、缓存、固件的四位一体优势。当然,三星850EVO最大的优势还在于采用了3Bit 3D V-NAND闪存。单位存储密度、P/E耐久度、可靠性较之840 EVO的2D平面闪存有质的提升。 三星850EVO 2TB 采用的SATA3.0接口,向下兼容SATA2.0/1.5的旧接口。虽然现在市场上涌现了不少PCI-E、M.2接口的SSD,但主流市场仍旧SATA3.0的天下,设备兼容性好,应用更方便,普及程度高。不过缺点也明显,其原始设计的接口理论传输速度仅6GB/s,一定程度上也限制SSD真实性能发挥。 通过背部的标签可以清楚地看到,850EVO的型号为MZ-75E2T0,容量为2TB,彻底告别GB时代。大容量,意味需要更多的闪存颗粒支持,所以850EVO 2TB功耗要稍高一些,工作电压为5V,工作电流达到了1.95A。动态读取/写入(平均): :最大3.7W/最大4.7W;闲置时,功耗仅60mW。相比于显卡、CPU的功耗,这点功耗几乎可以忽略不计。 三星850EVO 2TB SSD拆解赏析: 相比于外观设计,相信大家内部的结构更感兴趣。到底有多少颗芯片,组成这2TB恐怖容量的呢? 拆开后,发现仍旧是短小的PCB板设计,体现三星SSD工艺的高度集成。 PCB板做工精致,芯片的布局排列合理,焊点整齐,电路设计体现三星SSD一线大厂的制造实力。PCB正面共设计一颗主控、一颗缓存及8颗闪存芯片,PCB板正面各四颗。 三星850 EVO 2TB SSD采用S4LP052X01-8030(MHX)主控芯片,这是MEX、MGX的升级版,可支持三星大容量SSD。这个MHX主控有什么改善目前还不太清楚,三星并没有公布新主控的任何信息。 三星850EVO配备了自家大容量的LPDDR2-1066 DRAM缓存,2TB缓存容量高达2GB。 闪存芯片的具体型号为K9DMGB8S7C,单颗容量就高达256GB,意味一颗闪存就能做成一块256GB SSD。这一切都源自于3D V-NAND闪存技术。 三星850EVO 2TB采用三星32层3D V-NAND技术,突破目前传统平面NAND结构面临的密度限制、性能与耐用性问题。3D V-NAND闪存由32个单元层垂直堆叠而成以适应水平空间,并没有减少单元层尺寸,而且由于采用了更小的碳足迹,此结构密度更高,性能更卓越。
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正在阅读:三星850 EVO 2TB首测:机械硬盘都震惊了!三星850 EVO 2TB首测:机械硬盘都震惊了!
2015-07-08 01:11
出处:PConline原创
责任编辑:chenzhangwu
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