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　　7月27号，东芝率先推出全球首款64层3D NAND的工程样品，标志着一个新的里程牌的开启，单颗Die最大256Gb的闪存正式登陆闪存界。

　　一、什么是3D闪存？

　　随着2D平面闪存工艺进步，到达15nm的水平后，相关问题随之出现：每个闪存储存单元储存的电子越来越少，能抗磨损(每次写入、擦除，需要高电压，材料对对电子控制能力随之变弱)的冗余电子减少，严重影响闪存耐久度。而且，单元之间干扰也随工艺进步增强(可以类比很多人用外放放音乐，如果靠的越近，互相干扰越强)，电容耦合干扰已经达到25％(还是各种设计改进优化后的结果)。所以在平面闪存已经受到物理因素限制情况下，3D闪存便应运而生。

闪存发展图解

　　二、东芝闪存发展简史

　　东芝作为闪存技术的发明人，虽然现在的份额和产能被三星超越，不过东芝在NAND及技术领域依然非常强大，很早就投入3D NAND研发了，2007年他们独辟蹊径推出了BiCS技术的3D NAND。制造工艺复杂，要求很高，而东芝的BiCS闪存是Bit Cost Scaling，强调的就是随NAND规模而降低成本，号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。目前的堆栈层数是48层，MLC类型的核心容量128Gb，TLC类型的容量可达256Gb，预计会在日本四日市的Fab 2工厂规模量产，2016年可以大量出货了。

东芝bics 3D-NAND数据模型

　　三、关于东芝bics 3D-NAND

　　东芝还在继续努力发展BICS Flash，使其在64层的基础上单颗Die的容量最大可以做到512Gb，3D技术64层相较于48层3D NAND单位容量可以实现40%的提升，可降低每bit的成本，同时增加了每一片Wafer的产出量。64层3D NAND可以满足更高的性能要求，可以广泛应用在企业级/消费类SSD、智能型手机、平板和存储卡中。

　　四、3D NAND未来展望

　　众所周知，东芝是群联最早合作的NAND Flash大厂，作为重要的策略伙伴。东芝对于群联在上游资源倾斜上市毋庸置疑的，而在2015年影驰嘉年华上，群联董事长潘建成指出，影驰是群联在大陆唯一的合作伙伴。凭借群联和东芝优质资源倾斜，影驰无疑成为东芝闪存供应链下第一人。这次也必将率先拿到64层堆栈3D NAND资源，成为第一批吃螃蟹的人。根据影驰产线规划报告，我们可以看到，下半年影驰新品将会采用S11强劲主控搭配东芝原厂64层 3D NAND。成为继三星之后，行业内第二家拥有成熟3D闪存搭配方案的SSD品牌厂。S11主控现在已全线上市，强悍性能向着SATA 3.0传输极限更进一步。而配合东芝64层堆栈的 3D NAND将会迸出怎样的火花呢？这让我们拭目以待吧！