1.5V轻取2000MHz 三星30nm黑条OC手册

2012-04-29 02:25  出处:PConline原创  作者:存在主义饼干   责任编辑:hanjun 

  【04月28日太平洋电脑网广西站】布鲁克斯是NBA里的一颗小黑豆,在这个肌肉盛行的江湖中,这位身材矮小的“巨人”,凭借精悍灵巧、变幻无穷的球风,对速度超频,成就了AI一样的神话。这何尝不是三星的30nm矮条带给笔者的感受。这款“丑挫矮小”的小黑豆内存,却能在1.5V的低压下轻取2000MHz,效率之高堪比布氏,而配合与普通内存相当的售价,三星30nm DDR3L 4GB单条必将为萎靡的内存市场,注入全新的活力!

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  喜欢OC内存的朋友,对三星的30nm“黑武士”想必不会陌生。这位去年年末开始行走江湖的“矮”个子,出道时凭借优秀的低压节能设计以及“一不小心就飙2133MHz”的体质,狙击了金士顿芝奇海盗船等大牌,迅速堆积起自己的势力范围,获得了不错的市场认可度。当笔者第一次拿到这款神物时,也把目标定在了“2133MHz”之上。然而,通过实际的评测,笔者得出结论:2000MHz--2133MHz并不是三星“黑武士”的性能顶峰。下面,笔者就三星30nm“矮条”的OC误区,做出解读。

产品介绍:

三星30nm 4GB

  三星30nm DDR3L 4GB内存采用蓝白基调的一次性绿色包装,凸显“节能环保”的产品特点。这也是以往的三星内存所不具备的“金装”。而从包装的“Planet First(星球第一)”以及“30nm Class Low Votlage”上,也反映出这是一款主打低压节能的环保产品。包装底部的“Memory For Life”表示该产品享有三星提供的终身质保服务。

三星30nm 4GB

  什么是DDR3L呢?DDR3L全称“DDR3 Low Voltage”(低电压版DDR3),将运行电压从标准版DDR3的1.5V进一步降低到了1.35V,并保持功能上的全面兼容,在同等性能和负载下相比标准版DDR3功耗可降低15%或者更多,而相比于1.8V DDR2更是可以节能40%。

三星30nm 4GB

  包装背部注明了该内存的SPD情况。值得注意的是,因为主打“低压”的特性,因此在1600MHz的频率下,它的时序被放宽至11-11-11-28,不过默电情况下仍然能缩至7-8-7-21。

三星30nm 4G
内存的SPD参数,1600MHz时的默认CL值有些不理想,与主打低压有关

三星30nm 4GB

  来看内存本尊,虽然个子要小普通内存一个头,但它采用8层PCB设计,相较于采用4层PCB的三星金条,更多地PCB层数为条子提供更优秀、稳定的电气性能,在超频、加压状态下能够获得更纯净的电流、散热环境。

 

  三星30nm 4GB

  内存的颗粒采自三星原厂的30nm制程颗粒,拥有很棒低热、低压以及易超频的特点。内存采用窄版设计的PCB,金手指上方有专门标示的烫金“Green DDR3”标示,突出节能特征。对比两款内存DRAM芯片可得,三星“黑武士”与金条采用了相同的DRAM颗粒(封装上的表示是周)。同时,“黑武士”上的电容和排阻也明显增多,大量的激光过孔,相比之下,金条“简陋”不少。

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