1.5V轻取2000MHz 三星30nm黑条OC手册

2012-04-29 02:25  出处:PConline原创  作者:存在主义饼干   责任编辑:hanjun 

  【04月28日太平洋电脑网广西站】布鲁克斯是NBA里的一颗小黑豆,在这个肌肉盛行的江湖中,这位身材矮小的“巨人”,凭借精悍灵巧、变幻无穷的球风,对速度超频,成就了AI一样的神话。这何尝不是三星的30nm矮条带给笔者的感受。这款“丑挫矮小”的小黑豆内存,却能在1.5V的低压下轻取2000MHz,效率之高堪比布氏,而配合与普通内存相当的售价,三星30nm DDR3L 4GB单条必将为萎靡的内存市场,注入全新的活力!

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  喜欢OC内存的朋友,对三星的30nm“黑武士”想必不会陌生。这位去年年末开始行走江湖的“矮”个子,出道时凭借优秀的低压节能设计以及“一不小心就飙2133MHz”的体质,狙击了金士顿芝奇海盗船等大牌,迅速堆积起自己的势力范围,获得了不错的市场认可度。当笔者第一次拿到这款神物时,也把目标定在了“2133MHz”之上。然而,通过实际的评测,笔者得出结论:2000MHz--2133MHz并不是三星“黑武士”的性能顶峰。下面,笔者就三星30nm“矮条”的OC误区,做出解读。

产品介绍:

三星30nm 4GB

  三星30nm DDR3L 4GB内存采用蓝白基调的一次性绿色包装,凸显“节能环保”的产品特点。这也是以往的三星内存所不具备的“金装”。而从包装的“Planet First(星球第一)”以及“30nm Class Low Votlage”上,也反映出这是一款主打低压节能的环保产品。包装底部的“Memory For Life”表示该产品享有三星提供的终身质保服务。

三星30nm 4GB

  什么是DDR3L呢?DDR3L全称“DDR3 Low Voltage”(低电压版DDR3),将运行电压从标准版DDR3的1.5V进一步降低到了1.35V,并保持功能上的全面兼容,在同等性能和负载下相比标准版DDR3功耗可降低15%或者更多,而相比于1.8V DDR2更是可以节能40%。

三星30nm 4GB

  包装背部注明了该内存的SPD情况。值得注意的是,因为主打“低压”的特性,因此在1600MHz的频率下,它的时序被放宽至11-11-11-28,不过默电情况下仍然能缩至7-8-7-21。

三星30nm 4G
内存的SPD参数,1600MHz时的默认CL值有些不理想,与主打低压有关

三星30nm 4GB

  来看内存本尊,虽然个子要小普通内存一个头,但它采用8层PCB设计,相较于采用4层PCB的三星金条,更多地PCB层数为条子提供更优秀、稳定的电气性能,在超频、加压状态下能够获得更纯净的电流、散热环境。

 

  三星30nm 4GB

  内存的颗粒采自三星原厂的30nm制程颗粒,拥有很棒低热、低压以及易超频的特点。内存采用窄版设计的PCB,金手指上方有专门标示的烫金“Green DDR3”标示,突出节能特征。对比两款内存DRAM芯片可得,三星“黑武士”与金条采用了相同的DRAM颗粒(封装上的表示是周)。同时,“黑武士”上的电容和排阻也明显增多,大量的激光过孔,相比之下,金条“简陋”不少。

测试平台:

测试平台
为了考察三星30nm“小黑豆”的多通道OC能力,笔者使用支持三通道的i7-950作为测试平台

评测平台

  从图片中我们可以看到,窄条的优势在于,无论CPU散热器如何夸张霸道,它都能很好地适应环境。例如笔者使用的是猫头鹰的NH-14D散热,硕大的散热鳍片让芝奇大钢牙等内存无法顺利“入驻”,那么,一款超频性能同样优秀的矮条产品,自然是疯狂发烧友们的上佳之选。

体质:

  我们知道,巧妇难为无米之炊,一个身怀绝技的OC高手,也必须寻得“体质”优秀的神兵,方能打造超频利器。而“体质”通常指CPU、内存等产品的超频/电压比。体质优秀的批次,也许晶圆的纯度更佳,能够在低压下轻松达到高频。例如CPU中的“小雕”以及内存里的“低压超频颗粒”。挑选“体质”,更像买彩票,一些时候我们也许能够通过前人总结的经验,挑选编号较好的批次,但更多的时候,玩家只能进行赌博式的押注——钱押到了神条,lucky,否侧就认命吧。 

  而对于三星的30nm“黑武士”而言,同批货源的整体体质表现,还是很平均的。笔者使用i7 930的平台进行评测,商家随手从货柜中抽出三条,给我组建三通道系统。随意抽取的三条内存,都能达到2000MHz的频率,其中有一条的体质稍弱,主要体现在时序方面,设定至相对保守的7-8-7-21,1T时,无法工作在1600的频率,只有放宽至8-8-8-24,1T,才能正常点亮。

  也就是说,三星30nm“黑武士”的体质平均水平非常优秀,各别稍欠火候的单品,也只是时序方面需要进行微调。

OC误区:

  了解了体质情况,笔者开始对内存的频率以及相应频率下的性能表现,做简单的测试。

1、低CL值+低压+1600MHz

houtainimei!

 

  OC的各项电压调节,这里需要注意的是Uncore电压(CPU Vcore)的设置,即内存控制器的电压,关系到内存超频成败与否。

三星30nm 4G
CR(首命令延时值)可以缩短至1T,让系统获得更高的性能。

三星30nm 4G

  首先,在BIOS中,将CL延时设置为7-8-7-21,1T,其余小参调节至5-5-5-5-64(体质稍弱的条只能将小参放宽至6-6-6-6-88,才能被主板识别)。而受制于Tpower-X58的内存电压调节范围,即便是选择“1.5V”,主板也会自动加压至1.55V,笔者实在汗颜。

三星30nm 4G

  进入系统,打开CPU-Z,可以看到现在内存工作在800(等效频率1600)、三通道的状态下,OC成功。

三星30nm 4G

  使用AIDA的“内存带宽测试”,内存读取数值高达17324MB/s,但因为处理器超频的同时,关闭了“Turboost(睿频)”中的预写功能,因此内存写入数值仅为14449MB/s。

 30nm

  而在内存写入、读取、复制和潜伏三个项目的评测中,除了内存写入屈居第二,其余两项皆打败了最新的LGA 1155的SNB处理器。要知道,SNB独有的环形总线带来的超高效的内存控制效率,可是BloomField架构的产品望尘莫及。通过OC和缩短时序,三星30nm窄条帮助X58的i7 930,完成了复辟的梦想。而在内存潜伏方面,笔者承认AMD的K10构架太给力了,它的内存控制器效能放在今天仍然可以秒BloomField几条街啊有木有!

30nm
此时,用探温枪测量内存表面的温度,得出的读数为32.8℃

2、高CL值+高电压+2000MHz

三星30nm 4G

  在BIOS中,将“RAS(首命令延时”调至2T,其余参数设定为10-10-10-28,7-7-7-7-88,才能顺利点亮并进入系统。此时内存内存的访问反应时间变长,系统整体效能下降,但也有可能通过2000MHz的超高频率弥补延时的不足。

lanheihoutai

  但事实证明,延时的短板不是高频率所能弥补的,此时内存读取下降为15173MB/s,写入则有所改观,不过提升不大,喂15444MB/s,内存拷贝也下降为17001MB/s,而延时(Latency)则缩短为36.1ns,还算略有进步。

30nm

  此时,内存颗粒表面的温度为33.1℃,比1600MHz时提升不到1℃,足见30nm制程的伟大!

30nm

  另外,许多玩家朋友往往将注意力放在对   然而,tRRD、tWR、tWTR、tRTP、tRFC五者的时序控制也非常重要,一般情况下,冲击2000MHz高频,这五项设置为6-6-6-6-74以上或更高。

  评测总结:三星30nm“黑武士”就像火箭的布鲁克斯,“小黑豆”小而强大,颠覆了窄条不能超、不敢超的形象。以往的OC玩家,将精力更多地放在拥有散热马甲的游戏条上,认为矮条受制于印刷电路的有限面积,电气性能、PCB布线还有发热控制都非常不尽如人意,然而,在三星将业界引入30nm的世界后,在更窄的PCB上集成更多能在低压下轻易高频、稍微加压就能大幅超频的颗粒,已经成为未来的趋势。

  经过简评,将三星30nm 4GB 1600内存的特性总结如下:

1、空间适应性强,能够完美兼容大型的CPU散热器

2、低压飙高频,在1.5V的电压下可以轻易上到2000MHz;

3、30nm制程+低压工作,带来超低发热量,用探温抢直射内存颗粒表面,默频下的温度为,OC 1600/2000的温度分别为;

4、平均体质优良,用户有2/3甚至更大的概率选中体质优秀的内存,而体质稍弱的条子也能够上高频,不过时序需要适当放宽;

5、成本控制理想。没有散热马甲以及缩小的PCB高度,让制造成本更低;

6、时序表现一般,在2000MHz下必须将延时进行大幅度的放宽,影响系统整体效能表现,建议低延时+1600MHz的频率使用,此时内存带宽测试数据比2000MHz更高,并且功耗和发热量都很理想。

7、小参延时对该产品的OC成功率影响很大,平时玩家首要考虑的是   ,很少考虑小参,然而,用户可以通过放宽  的值,提升超频成功几率。

  最后,特别感谢盛业电脑,提供评测产品。盛业电脑是三星内存、固态硬盘、蓝宝/丽台等专业显卡的代理,为客户提供最专业、贴心的产品/售后服务。

  [参考价格]:三星30nm 4GB DDR3L  185元
  [销售公司]:盛业电脑
  [销售地址]:南宁市星湖路14号电科A311
  [销售电话]:0771-5560552
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