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在本月早些时候，我们曾经听说 IBM 已经准备在其芯片中使用一项名为“through-silicon via”（硅片直通孔）的新连接技术，这种技术可以用来直接把内存和电源芯片结合在一起，不必再通过内存控制器，如此可提高性能10%，并节省耗电20%。 根据 DigiTimes 最新的报道，三星（Samsung ）已经将“ through-silicon via ”连接技术投入实用了，采用这种技术的内存芯片已经进入量产了。 这种内存芯片最多可以集成四块512Mb DDR2 芯片，三星计划将生产4GB DDR2内存，内存每侧集成了 8片采用“ through-silicon via ”连接技术的256MB DDR2内存颗粒，采用这种技术之后，内存的体积可以变得更小。
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正在阅读：使体积更小!三星4GB内存采用新连接技术使体积更小!三星4GB内存采用新连接技术
2007-04-24 16:52
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责任编辑：lvliangyun
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