正在阅读:性能爆发!GDDR3掀起中端显卡革命!性能爆发!GDDR3掀起中端显卡革命!

2005-03-10 10:21 出处:PConline 作者:PConline评测室·太平洋的水 责任编辑:zhouxijian

  在GDDR2显存尚未在高端显卡普及的时候,美光、三星等厂商已经将GDDR3(Graphics Double Data Rate 3 Synchronous DRAM)的普及提上了议事日程,由Elpida提出的GDDR2显存最终由于仅有4MB*32bit的弱势带宽以及高昂的制造成本,仅在FX5800ULTRA以及FX5700Ultra出现过之外便销声敛迹。

Samsung 2MB×32Bit×4Bank Graphics Double Data Rate 3Synchronous DRAM
显存编号
显存速度
显存频率
操作界面
封装模式
K4J55323QF-GC12
-1.2ns
800MHz
1600Mbps/Pin
Seudo
Open
Drainp
144pin-BALL FBGA
K4J55323QF-GC14
-1.4ns
700MHz
1400Mbps/Pin
K4J55323QF-GC16
-1.6ns
600MHz
1200Mbps/Pin
K4J55323QF-GC20
-2.0ns
500MHz
1000Mbps/Pin

  三星推出的GDDR3最低的频率从500MHz起跳,最高能够达到800MHz的频率,而且最低的工作电压才是1.8V,相对于GDDR2的2.5V工作电压,有了很大程度上的降低,得益于GDDR3采用虚拟开漏极逻辑(pseudo open drain logic)设计的I/O接口,以简化数据频率处理,由于与比往传统的开漏方式有所改进,GDDR3上的设计使得逻辑信号传递至系统总线上的时候才会消耗电能。功耗的降低直接导致工作温度的下降,最终促使简易散热器的应用以及多样化的电路元件选择。

Graphics Double Data Rate 3 Synchronous DRAM CAS--Frequency
显存编号
允许工作频率(MHz)
CL=9
CL=8
CL=7
CL=6
CL=5
K4J55323QF-GC12
< 800
--
--
--
--
K4J55323QF-GC14
< 700
--
--
--
--
K4J55323QF-GC16
--
< 600
--
--
--
K4J55323QF-GC20
--
--
< 500
--
--

  Samsung 2ns GDDR3显存,CAS在稳定频率下达到了CL=7,而GDDR2的-GC20型号的CAS同为较高的CL=5,反观最原始的GDDRI,虽然速度只有350MHz,但其CAS只有CL=4。传说中R520和NV40则要搭配-14以上的GDDR3显存,CAS值达到9。如果能让显存工作在一个较高的频率下而保持极短CAS周期短期似乎不能实现,总的来说GDDR3除了拥有低功耗、高频率和单颗容量大三大优点以外,高延时也成为暂时不能克服的困难。不过凭着惊人的运行频率,高频GDDR3显存相当于普通的GDDR1显存有着明显的性能优势。

  GDDR3显存的首次亮相并不是出现在NVIDIA或者ATI的旗舰产品,而是颇为有趣地出现在FX5700Ultra上面。

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