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DrMOS的效能如何：

Intel DrMOS规范规定的DrMOS信号和芯片引脚

　　用DrMOS取代分离MOSEFT后，供电效能会有明显提高。DrMOS是新世纪高效节能型供电元件。Intel与2004年发布PC平台的DrMOS规范，2005年就有DrMOS问世，目前已经有十几家Power芯片厂商研发生产。

R2J20602原理图

　　微星采用瑞萨科技(Renesas Technology)研发的第二代DrMOS芯片R2J20602。

　　DrMOS除了体积小安装小（分离式MOSFET的四分之一）以外，在转换效率、热功耗、工作频率以及寄生电感等方面都优于分立式供电设计。

　　首先DrMOS由于把驱动IC和MOSEFT集成在一个芯片内，一体化设计，使驱动IC和MOSEFT更协调，经过设计优化，DrMOS可以工作在更高的频率。电流转换效率有很大提高。第2代DrMOS是目前市场上转换效率最高的MOSEFT。

　　第二，DrMOS的热功耗很小，发热量很低。在同等条件下，温度要比分立式低40多度。

　　第三，DrMOS比普通MOSFET的尖峰噪声低，输出电压更稳定。

　　第四，DrMOS比普通MOSFET的瞬态响应时间短，响应CPU动态负载快，电流变化速度快。

　　所以，微星 P45-8D 八达通主板使用了DrMOS代替分立式MOSEFT，即可以节省空间，便于布局8条内存槽，同时为CPU提供高稳定、品质的电流，还降低损耗节约电能。