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　　【前言】对于SSD的小白用户很容易将TLC看成“TCL”。其实TLC是闪存一种类型，全称为Triple-Level Cell。其优点与缺点都很突出，最大硬伤无疑是寿命短，作为系统盘的SSD需频繁写入数据，TLC闪存仅500--1000次的理论擦写(P/E)显然是短板。要说TLC闪存也不是什么新鲜事，早在2009年时，海力士就生产出了采用48nm制程的TLC闪存核心，最初打算使用在优盘产品中。而最近三星推出年度重磅产品840普通版SSD采用21nm TLC闪存，再一次引起网友对TLC闪存的关注。

TLC未来发展趋势？漫谈SSD中闪存类型

　　大家都知道，SSD硬件组成主要包括PCB板+主控+闪存+缓存（有些SSD还没有缓存）。一般来说，SSD高昂的售价源于内部闪存颗粒的成本。而TLC闪存最大的优点恰恰是成本低廉，相对MLC可以降低50%左右的成本。单单这点就对SSD厂商充满诱惑。

●什么是TLC闪存

这样的解释不再误解了吧！

　　TLC闪存芯片技术是MLC和SLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，而MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。

　2009年，TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步压缩，但仅500--1000次P/E注定它当时仅适合于U盘，存储卡等产品中。

●TLC闪存的特点：

1、理论上的存储密度最高

2、制造成本最低，其价格较之MLC闪存最大降低50%

3、使命寿命最低，仅500次--1000次P/E

4、理论上的读写速度最慢

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什么是P/E？

　　闪存完全擦写一次叫做1次P/E，因此闪存的寿命就以P/E作单位,需要注意的是这里的P/E与我们常说的读取写入的概念不同，闪存完全写满再清除才算一个P/E。
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　　TLC最让人担心还是其寿命，很多厂商都不推TLC闪存的SSD，三星840系列采用TLC闪存让人意外的同时，也让人关注三星这种举动背后的动机。