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　　【PConline 应用】Intel第四代智能酷睿处理器已经在今年六月二日正式上市，与上一代产品相比，这次的智能酷睿产品带来了更高性能的核芯显卡与更精准的功耗控制能力，这与Haswell的全新22纳米工艺架构息息相关。第四代智能酷睿究竟“新”在那里，又有哪些独创性的架构改进，这篇文章将为大家作一个资料汇总。

■22纳米3-D晶体管工艺

　　Intel的三栅极（Tri-Gate）3-D晶体管技术是历史性的突破，被评为2011年最重要的IT技术之一。相比之前的32nm平面晶体管，相同性能下功耗降低一半，对于笔记本平台有重大意义。对于桌面平台，它意味着CPU拥有更低的功耗与更好的超频潜力。

　　Intel在2012年IVB架构上就创新性地使用22纳米3-D晶体管工艺，大幅度降低平台功耗；到了2013年Intel在此基础上进一步改进架构，推出第四代智能酷睿，最显著的变化在于这一代的处理器整合完整电压调节器，可以进行更精确的电压调节。

■整合完整电压调节器（FIVR）

背面元件无论从排布还是数量上看，都与Ivy Bridge架构完全不同

　　在以往的主板电路中，必须设计不同的VR（电压调节器）来分别控制CPU、GPU、I/O等不同部件的核心电压，用户/厂商通过微调这些参数来获得更好的稳定性或超频性能。但在Haswell架构中，这些调节器全部整合到了CPU之中，主板只需要设计一个VR，其他的微调交给CPU完成，大大降低了主板的供电设计难度。而且接下来Haswell可以采用更加激进的待机节能策略。>>