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■22纳米3-D晶体管工艺
Intel的三栅极（Tri-Gate）3-D晶体管技术是历史性的突破，被评为2011年最重要的IT技术之一。相比之前的32nm平面晶体管，相同性能下功耗降低一半，对于笔记本平台有重大意义。对于桌面平台，它意味着CPU拥有更低的功耗与更好的超频潜力。 Intel在2012年IVB架构上就创新性地使用22纳米3-D晶体管工艺，大幅度降低平台功耗；到了2013年Intel在此基础上进一步改进架构，推出第四代智能酷睿，最显著的变化在于这一代的处理器整合完整电压调节器，可以进行更精确的电压调节。 ■整合完整电压调节器（FIVR）
在以往的主板电路中，必须设计不同的VR（电压调节器）来分别控制CPU、GPU、I/O等不同部件的核心电压，用户/厂商通过微调这些参数来获得更好的稳定性或超频性能。但在Haswell架构中，这些调节器全部整合到了CPU之中，主板只需要设计一个VR，其他的微调交给CPU完成，大大降低了主板的供电设计难度。而且接下来Haswell可以采用更加激进的待机节能策略。>> ■采用新的待机策略
Haswell新增了C7待机模式，最低电流只有0.05A，据Intel介绍可以大幅度平台降低待机功耗，从这次Haswell测试的情况来看，我们也可以发现Haswell处理器的待机频率由1.6GHz缩减到800MHz，仅为原来频率的一半，非常激进，节能降温效果更明显。 ■更灵活的外频、倍频支持
SNB/IVB基本没有外频超频能力，而Haswell的外频设计有点接近SNB-E，有几档外频可选，可自由调节，目前已经有玩家成功超频到170MHz外频；K系列Haswell的最高倍频从56提升到了80，让液氮超频玩家有机会挑战更高的极限频率。 ■更高性能的核显以及嵌入式内存
在SNB和IVB上核显都分为GT1和GT2两种，SNB是核显2000和核显3000，IVB是核显2500和核显4000. Haswell核显一共分为4种，GT1、GT2、GT3和GT3e，其中GT3又按功耗分两种，其中高功耗的GT3和GT3e又名“锐炬”，只出现在移动版及R系列平台。 从测试的情况上看，桌面GT2级别HD Graphics 4600核芯显卡相比上一代HD Graphics 4000在性能上有了30%左右的进步，预计移动版GT3级别核芯显卡可以媲美GT650M独显，而且为了强化核显性能，Intel又在GT3e上采用了嵌入式内存，为此甚至不惜以提升TDP为代价。 ■总结：
由此可见，第四代智能酷睿处理器确实在CPU架构上进行了大幅度改动。创新性的22纳米3-D晶体管技术使得Haswell的核心面积更小，功耗更低，甚至可以整合20EU单元的核芯显卡以及完整电压调节器；“K”系列解放了外频、倍频设置，加上Haswell特有的精确电流控制，使得这一代产品在超频方面更具可玩性，也可以借此冲击更高一级的运算性能。[返回频道首页] |
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正在阅读：革命性领先技术：四代酷睿架构改进解析革命性领先技术：四代酷睿架构改进解析
2013-06-19 00:18
出处：PConline原创
责任编辑：chenziwei
【PConline 应用】Intel第四代智能酷睿处理器已经在今年六月二日正式上市，与上一代产品相比，这次的智能酷睿产品带来了更高性能的核芯显卡与更精准的功耗控制能力，这与Haswell的全新22纳米工艺架构息息相关。第四代智能酷睿究竟“新”在那里，又有哪些独创性的架构改进，这篇文章将为大家作一个资料汇总。
