正在阅读:5nm就到极限了吗?谈芯片工艺发展路向5nm就到极限了吗?谈芯片工艺发展路向

2015-03-05 00:15 出处:PConline原创 作者:BOTA 责任编辑:maihuanzhao

  【PConline 杂谈】在上周举行的ISSCC(国际固态电路会议)上,Intel公布了其最新的半导体工艺进展,除了下一代10nm已经处于研发阶段中,也谈到了更加往后的半导体工艺计划。Intel表示摩尔定律即使到达7nm这个节点,仍然会继续有效,但是为了追上摩尔定律的脚步,7nm之后Intel很可能将会放弃传统的硅芯片工艺,而引入新的材料作为替代品。现在看来,10nm有可能将会成为硅芯片工艺的最后一站。事实上,随着硅芯片极限的逐渐逼近,这几年人们也越来越担心摩尔定律是否会最终失效,因为一旦半导体行业停滞不前,对于IT业界来说同样会产生极大的影响。本文就跟大家来谈一下目前半导体工艺的进展情况,以及一旦硅芯片工艺走到尽头,又有什么新的技术方向能够维系半导体工艺的持续发展。

5nm就到极限了吗?谈芯片工艺发展路向
5nm就到极限了吗?谈芯片工艺发展路向

  让我们先来大致了解一下芯片是如何工作的。

FinFET
Source:源极  Gate:栅极  Drain:漏极

  一个芯片上整合了数以百万计的晶体管,而晶体管实际上就是一个开关,晶体管能通过影响相互的状态来处理信息。晶体管的栅极控制着电流能否由源极流向漏极。电子流过晶体管在逻辑上为“1”,不流过晶体管为“0”,“1”、“0”分别代表开、关两种状态。在目前的芯片中,连接晶体管源极和漏极的是硅元素。硅之所以被称作半导体,是因为它可以是导体,也可以是绝缘体。晶体管栅极上的电压控制着电流能否通过晶体管。

ISSCC3
现有半导体工艺还能走多远?

  而为了跟上摩尔定律的节奏,工程师必须不断缩小晶体管的尺寸。但是随着晶体管尺寸的缩小,源极和栅极间的沟道也在不断缩短,当沟道缩短到一定程度的时候,量子隧穿效应就会变得极为容易,换言之,就算是没有加电压,源极和漏极都可以认为是互通的,那么晶体管就失去了本身开关的作用,因此也没法实现逻辑电路。从现在来看,10nm工艺是能够实现的,7nm也有了一定的技术支撑,而5nm则是现有半导体工艺的物理极限。

  硅芯片工艺自问世以来,一直遵循摩尔定律迅速发展。但摩尔定律毕竟不是真正的物理定律,而更多是对现象的一种推测或解释,我们也不可能期望半导体工艺可以永远跟随着摩尔定律所说发展下去。但是为了尽可能地延续摩尔定律,科研人员也在想尽办法,比如寻求硅的替代材料,以继续提高芯片的集成度和性能。接下来我们来谈一下几种未来有可能取代硅,成为新的半导体材料方案。

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第2页:硅工艺技术替代方案

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