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III-V族化合物半导体
前文提到Intel可能将会在7nm节点放弃传统的硅芯片工艺，并在未来的几年中启用全新的半导体材料来作为继任者，目前看来，这种新材料很可能会是III-V族化合物半导体。该半导体材料是以III-V化合物取代FinFET上的硅鳍片，与硅相比，由于III-V化合物半导体拥有更大的能隙和更高的电子迁移率，因此新材料可以承受更高的工作温度和运行在更高的频率下。Intel在很早之前已经尝试III-V族化合物（磷化铟和砷化铟镓）与传统晶圆整合的化合物半导体。而在一年多前，IMEC（微电子研究中心，成员包括Intel、IBM、台积电、三星等半导体业界巨头）已经宣布成功在300mm 22nm晶圆上整合磷化铟和砷化铟镓，开发出FinFET化合物半导体。 比起其他替代材料，III-V族化合物半导体没有明显的物理缺陷，而且跟目前的硅芯片工艺相似，很多现有的技术都可以应用到新材料上，因此也被视为在10nm之后继续取代硅的理想材料。目前需要解决的最大问题，恐怕就是如何提高晶圆产量并降低工艺成本了。 石墨烯
石墨烯被视为是一种梦幻材料，它具有很强的导电性、可弯折、强度高，这些特性可以被应用于各个领域中，甚至具有改变未来世界的潜力，也有不少人把它当成是取代硅，成为未来的半导体材料。但是真正把它应用于半导体领域，还需要克服不少的困难。 首先，通过前面我们可以知道，逻辑电路有“0”和“1”，也就是开和关两种状态，而这就需要有“能隙”——电子携带电流之前必须跃过的能量跨栏。但是因为石墨烯本身的导电性能太好，它没有能隙，也就是只能开，而不能关，这样是不能实现逻辑电路的。如果要利用石墨烯来制造半导体器件，那么我们还需要通过其他手段，在不破坏石墨烯本身特有的属性下，在石墨烯上面植入一个能隙。目前已经有不少针对这方面的研究，但要真正解决这个问题还需要相当长的时间。 而另外一个主要问题就是，要大批量和高质量地获得石墨烯，仍然是一件非常困难的事。目前增加石墨烯产量的手段其实并不少，但石墨烯边缘的六元环并不稳定，容易形成五元环或七元环，通过这些手段获取的石墨烯，往往会是多个畸形环所连成的多晶，从而影响本身的特性，这样生产出来的石墨烯就丧失了作为材料的意义了。 硅烯
我们知道硅和碳具有相似的化学性质，研究人推测硅原子也可以像石墨烯那样，原子呈蜂窝状排列，形成硅烯这种物质。而硅烯相比于石墨烯的重要不同，就是硅烯拥有上述所说，可以实现逻辑电路所必要的能隙。 不过这种结构的硅单质，也只是在2010年才正式观察到，而事实上，在空气中，硅烯具有极强的不稳定性，即使在实验室中，硅烯的保存时间也很短。如果要制作硅烯晶体管，还需要尝试通过添加保护涂层等手段，保证硅烯不会变性，才可能应用于实际当中。虽然硅烯的应用面临着重重困难，但它仍然有希望赶超老大哥石墨烯，成为理想的半导体材料。 结语：
即使硅工艺快将走到尽头，未来仍可能有多种替代方案来接替硅的位置，并使摩尔定律继续延续下去。事实上，硅的替代材料还有多种，如IBM致力研究的碳纳米管等，此外也可以另辟蹊径，在使用现有工艺的情况下来提高单位面积下晶体管的集成数量（比如2.5D、3D堆叠等方案，目前在NAND、DRAM等存储产品中已有不少应用，不过对于IC芯片来说，发热问题不好解决），在未来甚至还可能有光子计算、量子计算等颠覆摩尔定律的超级计算机出现，有机会我们可以再继续展开讨论。但就目前而言，哪种技术能够最终成为计算的未来，谁也无法知晓。 做手机配件问卷调查·千元礼品等你拿！ 人在江湖难免要向奸商交学费，被坑了也没关系，PConline来安慰您受伤的心，现在参与“关于手机配件的有奖调查”即有机会获得魅蓝Note手机（价值999元）、么么哒3N手机（价值899元）、邦克仕E520V移动电源(价值159元)以及其他丰富礼品，快来动动手指拿大奖！（点击查看详情）
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2015-03-05 00:15
出处：PConline原创
责任编辑：maihuanzhao
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