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　　【PConline 资讯】在我国半导体大力发展的今天，虽然仍与世界先进水平有较大的差距，但是也在脚踏实地的进步着。据报道，4月11日，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目，芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。

　　紫光在武汉、南京、成都三地都有300mm闪存晶圆厂， 这次率先启动的是武汉工厂，同时募集的800亿元资金也已经全部到位。

　　紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全更是披露了一个振奋人心的好消息： 长江存储的3D NAND闪存已经获得第一笔订单，总计10776颗芯片，将用于8GB USD存储卡产品。

　　今年底，基地就将实现国产3D闪存的小规模量产，用不了多久就能看到基于国产闪存的智能手机、SSD固态硬盘。

　　明年，长江存储还将开始64层堆叠闪存，单颗容量128Gb(16GB)。

　　这算是今年比较振奋人心的消息了，现在除了国产紫光内存开始投产小批量出货以外，国产闪存也正式开始量产了，再结合前不久有报道称中国投资130亿元开建PCM相变内存，性能是普通存储芯片的1000倍，现在更厉害的——复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏带领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片，他们使用了半导体结构，研发的存储芯片性能优秀，是传统二维存储芯片的100万倍。中国正在半导体行业正在进行巨大的改变，未来可以期待。